 
											 
											 
											 
											 
											 
											 
					 
					 
					 
					 
					 
					 
					 
					 
					 
					 
					 
					621.39
Р-748
РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
Методические указания
НОВОСИБИРСК
2010
УДК 621.375 [07]
Составили: канд. техн. наук, доц. В.И. Говорухин
К.В. Моисеев, студент
Н.С. Никитенко, студент
Рецензент д-р техн. наук, проф. В.П. Разинкин
Работа подготовлена кафедрой лазерных систем
Радиотехнические устройства
Методические указания
Министерство образования и науки Российской Федерации
Новосибирский государственный технический университет
621.39 №
Р-748
Радиотехнические устройства
Методические указания к лабораторным работам
для студентов III курса факультета ФТФ
направления 140400 «Техническая физика»
Новосибирск
2010
ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ И ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ
ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ
1. К выполнению лабораторного практикума допускаются студенты, прошедшие инструктаж по технике безопасности и расписавшиеся в журнале преподавателя. При нарушении правил техники безопасности студенты привлекаются к административной ответственности, вплоть до отчисления из университета.
2. Лабораторные работы выполняются на персональном компьютере с использованием программной системы Micro-Cap 8 (MC-8) и включают в себя моделирование работы апериодических каскадов предварительного и оконечного усиления мощности сигналов на биполярных транзисторах и операционных усилителях.
3. До начала лабораторной работы студент должен ознакомиться с ее описанием, изучить рекомендуемую литературу, выполнить вариант индивидуального контрольного задания и подготовить бланк отчета для занесения результатов моделирования и построения необходимых зависимостей. По результатам подготовки преподаватель решает вопрос о допуске студента к выполнению лабораторной работы.
4. По результатам выполнения работы студент оформляет индивидуальный отчет и защищает его на данном, либо на следующем лабораторном занятии. Отчет в обязательном порядке должен содержать:
· титульный лист установленного образца;
· цель работы;
· расчет контрольного задания;
· принципиальные схемы исследуемых узлов;
· результаты выполнения работы по пунктам;
· выводы по каждому пункту и по работе в целом.
5. Защита работы проводится в форме собеседования или ответов на тестовые вопросы. К защите допускаются студенты, успешно выполнившие программу лабораторной работы и оформившие отчет с необходимой полнотой и аккуратностью.
6. Проверить готовность к защите студент может с помощью контрольных вопросов, приводимых в описании каждой лабораторной работы. При этом следует обратить внимание на физическую сущность и понимание принципов работы исследуемых схем, изменение их характеристик в диапазоне частот и различных условиях нагрузки.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ЦЕПЕЙ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И ОСНОВНЫХ ПОКАЗАТЕЛЕЙ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА В УСТАНОВИВШЕМСЯ И ПЕРЕХОДНОМ РЕЖИМАХ
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Знакомство с цепями питания биполярных транзисторов (БТ) и основными показателями усилительного каскада в установившемся и переходном режимах.
2. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Работа состоит из трех частей. В первой проводится моделирование цепей питания БТ, обеспечивающих стабилизацию режима работы усилительного каскада по постоянному току в широком диапазоне температур.
Во второй части исследуются основные показатели резисторного усилительного каскада в установившемся режиме при гармоническом входном сигнале и их зависимость от изменения значений элементов его электрической схемы.
В третьей части – переходные искажения (ПИ) каскада при подаче на его вход прямоугольного импульса и их зависимость от значений элементов схемы.
Часть 1
В среде MC-8 проводится моделирование 4-х вариантов построения цепей смещения БТ, обеспечивающих стабилизацию режима работы усилительного каскада по постоянному току. Исследуемые схемы:
· с фиксацией напряжения на базе транзистора;
· с фиксацией тока базы транзистора;
· с диодной (параметрической) стабилизацией;
· с эмиттерной стабилизацией.
приведены на рис 1...4 а,б и представляют собой варианты электрической схемы усилительного каскада на n-p-n и p-n-p транзисторах. Изменения коэффициента передачи каскада при изменении температуры в диапазоне (-60...+60) ºС являются показателем термостабильности исследуемых схем. Студент, в соответствии с индивидуальным вариантом задания из табл.1, моделирует работу каскада в частотной области и измеряет значение коэффициента передачи на фиксированной частоте 1,0 кГц для четырех значений температуры: (-60, +27, +60) ºС. Полученные результаты позволяют сопоставить между собой исследуемые схемы и обосновать целесообразность использования схемы с лучшими показателями термостабильности.
| 
 | 
 | 
| Рис. 1. Схема смещения с фиксацией напряжения на базе транзистора n-p-n (а) и p-n-p (б) типа. | |
| 
 | 
 | 
| Рис. 2. Схема смещения с фиксацией тока базы транзистора n-p-n (а) и p-n-p (б) типа. | |
| 
 | 
 | 
| Рис. 3. Схема смещения с диодной (параметрической) стабилизацией на транзисторе n-p-n (а) и p-n-p (б) типа. | |
| 
 | 
 | 
| Рис. 4. Схема каскада с эмиттерной стабилизацией на транзисторе n-p-n (а) и p-n-p (б) типа. | |
Таблица 1
| Транзисторы n-p-n типа | |||||||||||||
| Вариант № | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | |||||
| Тип тр-ра | KT315A | KT315B | KT315D | KT3102A | KT3102B | KT3102BM | KT375A | KT375B | |||||
| Еп, В | +12 В | ||||||||||||
| Для схемы – рис.1,а | |||||||||||||
| Rб1, кОм | 18 | 18 | 20 | 22 | 20 | 20 | 12 | 13 | |||||
| Rб2, кОм | 1,8 | 1,5 | 1,6 | 1,6 | 1,5 | 1,5 | 0,91 | 0,91 | |||||
| Для схемы – рис.2,а | |||||||||||||
| Rб, кОм | 56 | 75 | 91 | 200 | 300 | 270 | 91 | 110 | |||||
| Для схемы – рис.3,а | |||||||||||||
| Rб, кОм | 2,2 | 8,2 | 8,2 | 2,2 | 2,0 | 1,2 | 6,2 | 6,2 | |||||
| Тип диода* | КТ315А | ||||||||||||
| Для схемы – рис.4,а | |||||||||||||
| Rб1, кОм | 9,1 | 8,2 | 9,1 | 6,8 | 6,8 | 6,8 | 9,1 | 9,1 | |||||
| Rб2, кОм | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | |||||
| Транзисторы p-n-p типа | ||||||||
| Вариант № | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 
| Тип Тр-ра | KT361A | KT361B | KT361D | KT361E | KT3107A | KT3107B | KT3107D | KT351A | 
| Еп, В | -12 В | |||||||
| Для схемы – рис.1,б | ||||||||
| Rб1, кОм | 13 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 13 | 13 | 
| Rб2, кОм | 1 | 1,1 | 1,2 | 1,1 | 1,1 | 1,1 | 0,91 | 1,1 | 
| Для схемы — рис.2, б | ||||||||
| Rб, кОм | 82 | 120 | 82 | 110 | 110 | 160 | 150 | 200 | 
| Для схемы – рис.3,б | ||||||||
| Rб, кОм | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 1,2 | 1,2 | 1,2 | 2,2 | 
| Тип диода* | КТ361A | KT3107A | KT3107B | KT3107D | KT351A | |||
| Для схемы – рис.4, б | ||||||||
| Rб1, кОм | 8,2 | 9,1 | 9,1 | 9,1 | 5,6 | 5,6 | 5,6 | 7,5 | 
| Rб2, кОм | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,0 | 2,2 | 2,2 | 1,6 | 
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.