Исследование цепей питания биполярных транзисторов и основных показателей усилительного каскада в установившемся и переходном режимах

Цель работы:  Знакомство с цепями питания биполярных транзисторов и основными показателями усилительного каскада в установившемся и переходном режимах.

1)Схема смещения с фиксацией напряжения на базе транзистора n-p-n типа:

Частотные характеристики соответствующие:

  температуре 27⁰ С:

                                                                                       1

температуре -60⁰ С:

температуре 60⁰ С:

                                                                                   2

Схема смещения с фиксацией тока базы транзистора n-p-n типа:

Частотные характеристики соответствующие:

  температуре 27⁰ С:

                                                                                 3

температуре 60⁰ С:

температуре -60⁰ С:

                                                                                           4

Схема смещения с диодной стабилизацией на транзисторе n-p-n типа:

Частотные характеристики соответствующие:

  температуре 27⁰ С:

                                                                                5

  температуре 60⁰ С:

температуре -60⁰ С:

                                                                                                 6

Схема каскада с эмиттерной стабилизацией на транзисторе n-p-n типа:

Частотные характеристики соответствующие:

  температуре 27⁰ С:

                                                                                 7

  температуре 60⁰ С:

  температуре -60⁰ С:

                                                                                       8

 Характеристики режима работы каскада в стационарном режиме:

Схема каскада с эмиттерной стабилизацией на транзисторе n-p-n типа:

температура 27⁰ С:

температура 60⁰ С:

температура -60⁰ С:

Схема смещения с фиксацией напряжения на базе транзистора n-p-n типа:

температура 27⁰ С:

температура 60⁰ С:

температура -60⁰ С:

                                                                          10

Схема смещения с фиксацией тока базы транзистора n-p-n типа:

температура 27⁰ С:

температура 60⁰ С:

температура -60⁰ С:

                                                 11

Схема смещения с диодной стабилизацией на транзисторе n-p-n типа:

температура -27⁰ С:

температура 60⁰ С:

температура -60⁰ С:

                                                                      12