13. Графическое обоснование результатов измерений при последовательном соединении диодов
Iобр = , UVD1 = , UVD2 = .
14. Схема для исследования ВАХ стабилитрона.
15. Таблица результатов
IVD3,mA |
0,5 |
1 |
3 |
5 |
10 |
30 |
20 |
50 |
UVD3,B |
16. График ВАХ стабилитрона.
17. Определение основных параметров стабилитрона: напряжение стабилизации Uст и динамического сопротивления Rд .
Uст = , Rд = .
18. Выводы по работе:
1. Что такое собственная и примесная проводимости?
2. Что такое электронная и примесная проводимости?
3. Что такое диффузионный ток?
4. Что такое дрейфовый ток?
5. Какие примеси называются донорными и акцепторными?
6. Что такое электронно - дырочный переход?
7. Как определить величину эквивалентного сопротивления р - n - перехода в режиме прямого тока?
8. Как определить величину эквивалентного сопротивления в режиме обратного тока?
9. Как определяется и от чего зависит пороговое напряжение?
10.Назовите рабочий режим стабилитрона?
11.Покажите рабочий участок на вольт - амперной характеристики стабилитрона?
12.Что такое напряжение стабилизации?
13.Что такое ток стабилизации?
14.Назовите основные параметры кремниевого стабилитрона?
15.От чего зависит номинальное напряжение стабилизации?
16.Что такое динамическое сопротивление и как оно определяется?
17.Покажите возможные схемы включения стабилитрона?
1. С.Н. Засорин и др. Электронная и преобразовательная техника. М., Транспорт, 1981, стр. 35-59.
2. А.Т.Бурков. Электронная техника и преобразователи.- М., Транспорт, 1999, стр. 46-60.
3. А.Е.Зорохович, С.С.Крылов. Основы электроники для локомотивных бригад. – М.: Транспорт, 1992, стр. 7- 40.
4. Г.Н.Акимова. Электронная техника. – М.: Маршрут, 2003, стр. 21-38.
ЦЕЛЬ РАБОТЫ: изучения принципа действия, устройства, основных параметров и способов их определения, схем включения биполярного транзистора. Снятие входных и выходных характеристик транзистора по схеме с общим эмиттером.
Транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя р - n - переходами. Две крайние области обладают проводимостью одного типа, средняя - противоположной проводимостью. При этом различают транзисторы р - n - р типа и n - р - nтипа. Принцип действия транзисторов обоих типов и физические процессы, происходящие в них, одинаковы.
При отсутствии внешних источников энергии через р - n - переходы транзистора протекают два небольших тока. Один из них обусловлен диффузией через переходы основных зарядов (дырок из области р в область nи электронов из области n в область р), другой встречный дрейфовый ток, созданный не основными носителями. Эти токи одинаковы, поэтому суммарный ток через каждый переход равен нулю.
При подключении транзистора к внешним источникам энергии (рис. 2.1.) эмиттерный переход П1 смещается в прямом направлении, а коллекторный П2 - в обратном, то есть потенциальный барьер в переходе П1 уменьшается, а в переходе П2 возрастает. Прямое смещение эмиттерного перехода приводит к появлению эмиттерного тока Iэ , в результате чего происходит как бы впрыскивание «дырок» в область базы (инжекция «дырок» из эмиттера в базовую область).
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.