Рис. 2.11.
Затем проверяют возможность снятия выходных характеристик. Для этого изменяя напряжение Uкэ , следят за величиной тока коллектора Iк, который должен плавно изменятся в пределах, позволяющих снять выходные статические характеристики транзистора.
3. Снятие входных статических характеристик транзистора.
Для снятия зависимости Iб = f ( Uэб ) необходимо изменять напряжение, подводимое к эмиттерному р-n-переходу. При снятие этой зависимости необходимо следить за тем, чтобы напряжение между эмиттером и коллектором оставалось постоянным. Следует обратить внимание на то, что входные статические характеристики, снятые при различных Uкэ¹ 0 практически не отличаются друг от друга, дать объяснение этому явлению.
Установить Uкэ=10 В, измерить значения Uбэ, Iк при Iб = 0,5; 1; 2; 3 mA. Данные наблюдений записываются в заранее заготовленную таблицу.
4. УстановитьUкэ=20 В и повторить операции п. 3.
5. Построение статических характеристик транзистора.
На основании результатов наблюдений в прямоугольной системе координат строят семейства входных Iб = f ( Uэб ) характеристик и характеристик прямой передачи Iк = f ( Iб ) транзистора. Примерный вид этих характеристик приведен на рис.2.3 и 2.5.. Характеристики, полученные при Uкэ=10 В и 20 В, строятся на одном рисунке.
6. По результатам измерений п.3. рассчитать и построить зависимость коэффициента усиления β от Iк.
β=Iк/Iб
7. Снятие выходных статических характеристик транзистора.
Для снятия зависимости Iк = f ( Uкэ ) необходимо следить за тем чтобы ток базы оставался постоянным.
УстановитьIб=3 mA и получить точки выходной характеристики Iк(Uкэ) измеряя значения Iк при Uкэ = 1; 3; 5; 10; 15; 20; 25В.
8. УстановитьIб=2 mA и повторить операции п. 7.
9. УстановитьIб=1 mA и повторить операции п. 7.
10. Построение выходных статических характеристик транзистора.
На основании результатов наблюдений в прямоугольной системе координат строят семейство выходных Iк = f ( Uкэ ) характеристик транзистора. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 2.4. Путем переноса соответствующих точек со входных и выходных характеристик строят характеристики обратной связи. Примерный вид этих характеристик приведен на рис. 2.6. Выходные характеристики, полученные в п.п. 7- 9, построить на одном рисунке.
11. Органы управления стенда установить в исходное положение в соответствии с п. 1.
12. Собрать схему рис. 2.12. Установить R1=600 Ом, R2=120 Ом.
Рис. 2.12.
13. Сначала проверяется работоспособность собранной схемы. Для этого постепенно увеличивают подводимое напряжение и наблюдают за показаниями приборов. При увеличении напряжения Uэбток базы Iбдолжен изменяться. При увеличении напряжения Uэкток коллектора Iктакже должен изменяться, сначала резко, а затем - незначительно.
14. Снятие статических характеристик транзисторного усилителя с ОЭ.
Включить Е1, Е2, установить напряжение Е2=10В и получить точки статических характеристик усилителя Uвых= f (Uвх), Uвых= f (Iвых), Iвых= f (Iвх).При снятии точек характеристик сначала определить значение Uвх, при достижении которого начинается уменьшение Uвых. Затем определить значение Uвх, при достижении которого Uвых становится близким к 0 и в дальнейшем практически не меняется. Полученный диапозон DUвх разделить на четыре равных интервалов. На границе каждого интервала измерять Uвых, Iвых, Iвх. Данные наблюдений записываются в заранее заготовленную таблицу.
Для середины диапазона определить:
Ø коэффициент усиления по напряжению
Ku=∆Uвых/∆Uвх ,
Ø коэффициент усиления по току
KI=∆Iвых/∆Iвх ,
Ø коэффициент усиления усилителя по мощности
15. Установить Е2=20В, R1=600 Ом, R2=120Ом и повторить операции п. 14.
16. Установить R2=600 Ом, R1=600 Ом, Е2=20В и повторить операции п. 14.
17. Построение статических характеристик усилителя.
Одноименные характеристики, точки которых получены в п. 14 - 16 , построить на одном рисунке с указанием для каждого параметра Е2, R, при которых они получены.
18. Для одного из результатов измерений проверить выполнение соотношения
Uвых=Е2-Iк * R2.
19. Органы управления стенда установить в исходное состояние в соответствии с п.1.
20.
 |
Рис. 2.13.
21. Проверка работоспособности схемы.
Сначала проверяется возможность снятия входных характеристик. Для этого устанавливается напряжение Uкб порядка 50 - 60 % от наибольшего значения этого напряжения для исследуемого транзистора. Поддерживая это напряжение постоянным, изменяют напряжение Uэби следят за показаниями миллиамперметра, измеряющего ток эмиттера Iэ, величина которого должна меняться в пределах, достаточных для снятия входных характеристик транзистора.
Затем проверяют возможность снятия выходных характеристик. Для этого изменяя напряжение Uкби поддерживая величину тока эмиттера Iэпостоянной, следят за изменением тока коллектора. Последний должен плавно изменятся в пределах, позволяющих снять выходные статические характеристики транзистора.
22. Снятие входных статических характеристик транзисторного усилителя с ОБ.
Включить Е1, Е2, установить напряжение Е2=10В и получить точки входной характеристики.
Для снятия зависимости Iэ = f ( Uэб ) необходимо изменять напряжение, подводимое к эмиттерному р - n - переходу. При снятии этой зависимости необходимо следить за тем, чтобы напряжение между базой и коллектором оставалось постоянным. Перед снятием характеристик заготавливают таблицу наблюдений.
23. Установить Е2=20В и повторить операции п. 22.
24. Снятие выходных статических характеристик транзисторного усилителя с ОБ.
Выходные статические характеристики снимают для двух значений тока эмиттера Iэ , которые поддерживают в процессе наблюдений неизменными. Величины токов эмиттера зависят от типа исследуемого транзистора. Напряжение Uкб изменяют от 0 до 10 - 15 В через 2-3 В. Данные наблюдений записываются в заранее заготовленную таблицу.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.