Вывод: при малых значениях коллекторного напряжения потенциал коллектора будет сопоставим с потенциалом базы относительно эмиттера, при этом начнет протекать инжекционный ток IКБ, и, следовательно, уменьшится ток коллектора.
Используя семейство входных характеристик транзистора, построить семейство характеристик обратной связи по напряжению для схемы с общим эмиттером. UБ=f(UК)
Используя семейство входных характеристик транзистора, построить семейство характеристик передачи по току для схемы с общим эмиттером. IК=f(IБ)
h11=∆UБ / ∆IБ = (0,189-0,175)/(0,00016-0,00012) = 0,014/0,00004 = 350
h12=∆UБ / ∆UК = (0,183-0,175)/(15-10) = 0,008/5 = 0,0016
h21=∆IК / ∆IБ = (5,9-3,9)/(0,18-0,12) = 2/0,06 = 34
h22=∆IК / ∆UК = (0,0059-0,0053)/(11-7) = 0,0006/4 = 0,00015
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.