Вывод: при увеличении коллекторного напряжения уменьшается толщина базы и увеличивается градиент концентрации носителей заряда; следовательно, при увеличении коллекторного напряжения ток базы будет уменьшаться при постоянном напряжении UБЭ.
Снять выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, изменяя ток базы от 0.06 мА до 0.24 мА с шагом 0.06мА.
|
IБ, мА |
UК, В |
||||||
|
0 |
0,5 |
1 |
3 |
7 |
11 |
15 |
|
|
0,06 |
0 |
1,5 |
1,5 |
1,5 |
1,65 |
1,75 |
1,9 |
|
0,12 |
0 |
3 |
3,2 |
3,4 |
3,9 |
3,9 |
4,4 |
|
0,18 |
0 |
4,9 |
5 |
5,2 |
5,3 |
5,9 |
6,9 |
|
0,24 |
0 |
6,7 |
7 |
7,3 |
7,7 |
8,1 |
8,5 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.