Ненасыщенный инвертор (рис. 7,8)
В исходном состоянии транзистор закрыт, на его коллекторе - высокий потенциал Ек закрывающий диод VD . При поступлении положительного переïада входного сигнала ( t1 ) эмиттерный переход смещается в прямом направлении, и в цепи базы протекает ток Iб » Iвх >> Iбн. Ток коллектора увеличивается с постоянной времени tb, а коллекторное напряжение соответственно уменьшается, Как только Uк » 0, диод открывается и замыкается цепь отрицательной обратной связи ( t2 ). При этом часть входного тока начинает протекать через открытый диод, ток базы скачком уменьшается на величину тока через диод и устанавливается на уровне ³ Iбн.
Таким образом, в стационарном включенном состоянии транзистор находится на границе активного режима и режима насыщения В результате этого в процессе выключения инвертора отсутствует этап рассасывания, что повышает его быстродействие.
Порядок выполнения работы
1. Исследование статических свойств инвертора
1.1. Собрать схему инвертора (рис .1) Ек = (10¸12) В; Rб = R5
1.2.
|
|
Подать на вход инвертора запирающее напряжениеЕб < 0 . Убедиться, что транзистор инвертора закрыт (на коллекторе транзистора должен быть потенциал, примерно равный Ек).
1.3. Включить в коллекторную цепь транзистора микроамперметр.
1.3.1. Измерить ток коллектора в резюме глубокой отсечки.
1.3.2. Измерить ток коллектора в режиме "закороченная” база ( Uбэ = 0 ).
1.3.3. Отключить микроамперметр.
1.4. Подать на вход инвертора отпирающее напряжение Еб > 0 . Экспериментально снять зависимость Uкэ = f ( Iб ) при нормальном и инверсном включении транзистора.
Iб = ( 0¸5 ) мА
2. Исследование динамических свойств инвертора
2.1. Собрать схему инвертора (рис.5).Ек = ( 10¸12 ) В; Rб = R4; Rсм = R6. С выхода 1:10 генератора Г5-15 подать на вход инвертора положительные импульсы частотой 10 кГц и длительностью 10 мкс.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
