Исследование инерционных свойств полупроводниковых приборов в переключательном режиме

Министерство Общего и Профессионального Образования

Российской Федерации

Уральский Государственный Технический Университет

Кафедра РЭИС

Отчет

по лабораторной работе

«Исследование инерционных свойств полупроводниковых приборов.»

	Группа                            Р-219 Студент                 Сисин С.А. Дата                    ___________

 

Екатеринбург 2001 г.

1)Цель работы:

Ознакомиться с особенностями проявления инерционных свойств различных полупроводниковых диодов в переключательном режиме, биполярных транзисторов – низко – и высокочастотных в схемах с общим эмиттером и общим коллектором, в ненасыщенном, насыщенном и переключательном режимах. 

2)Схема установки.

Рис.1.Схема для исследования диода.

R₁=100Ом

Рис.2.Исследование транзистора.

3)Таблица результатов эксперимента.

 См в приложении А.

4)Найдем предельную частоту транзистора по частоте по формуле

Для МП26Б

Для КТ203А

 

5)Анализ полученных результатов

Мы получили осциллограммы транзистора и диода, работающих в импульсном режиме, на выходе при подаче на вход прямоугольного импульса напряжения.

·  По экспериментальным данным можно судить, что уровень инжекции практически не меняет время восстановления обратного сопротивления, но по  теории при увеличении уровня инжекции время восстановления обратного сопротивления должно быть больше, так как в базе будет больше неосновных носителей и они будут дольше рассасываться. Конструкция точечного диода заметно снизила восстановления обратного сопротивления (~20 раз) по сравнению с выпрямительным, так как по конструкции база точечного диода меньше, чем у выпрямительного и I_обр у него ~ в 2 раза меньше.

·  При увеличении амплитуды входного импульса I_к возрастает значит уменьшается t_нар и возрастают t_сп и t_расс , так как после включения в базе накапливается все больше и больше неосновных носителей (с повышением U_вх). Для ВЧ транзисторов соответственно уменьшаются t_нар, t_сп , t_расс по сравнению с НЧ, так как в ВЧ транзисторах неосновные носители практически не скапливаются в базе – этого можно достичь двумя спосабами: 1)Добавить Au в базу - увеличение числа рекомбинационных ловушек. 2)Зашунтировать  Б-К диодом Шотки - тогда при переключении ток пойдет через него.

·