Петербургский Государственный Университет Путей Сообщения
Кафедра физики
Лаборатория оптики, атомной и ядерной физики
«Поглощение b-излучения различными веществами»
Выполнил студент группы АТК-102
Лебединский А.А.
Проверила преподаватель
Боднарь Р.П.
2002
Цель работы: Ознакомиться с основными закономерностями поглощения b-излучения веществом и с некоторыми практическими задачами, которые могут быть легко разрешены с помощью b-излучения.
Теоретическое обоснование: b-распад представляет собой ядерное превращение, при котором один из нейтронов ядра превращается в протон с испусканием электрона. При этом на единицу меняется порядковый номер элемента, а массовое число сохраняется. Кроме того, при превращении нейтронов в протон (или наоборот) должен соблюдаться закон сохранения спина (собственного момента количества движения частиц), т.е. если до реакции спин был в единицах целый (полуцелый), то и суммарный спин продуктов реакции должен быть целый (полуцелый).
В настоящее время радиоактивные изотопы находят широкое применение для решения, как научных проблем, так и важных практических задач. Во многих случаях для контроля качества изделий, счета предметов, автоматизации производственных процессов, сигнализации и т.д. Весьма удобным является применение b-радиоактивных изотопов.
При практическом применении b-радиоактивных препаратов используется способность b-излучения пронизывать заметные слои вещества. Наша атомная промышленность выпускает различные b-радиоактивные препараты.
При прохождении пучка электронов через слой вещества только часть из них попадает в счетчик. Медленные электроны затормозятся и останутся внутри слоя. Некоторая часть отразится от слоя. Быстрые электроны в результате рассеяния получат самые различные направления после прохождения слоя, только часть из них попадет в счетчик. С ростом толщины слоя число поглощаемых электронов быстро растет и поэтому число электронов, доходящих до счетчика, очень резко падает. При некоторой толщине слоя даже самые быстрые электроны перестают попадать в счетчик. Эта толщина называется толщиной слоя полного поглощения. Кривая зависимости числа электронов, зарегистрированных счетчиком, от толщины слоя называется кривой поглощения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.