Поглощение b-излучения различными веществами, отчет по лабораторной

Петербургский Государственный Университет Путей Сообщения

Кафедра физики

Лаборатория оптики, атомной и ядерной физики

Отчет по лабораторной работе № 331

«Поглощение b-излучения различными веществами»

Выполнил студент           группы АТК-102

Лебединский А.А.

Проверила преподаватель

Боднарь Р.П.

Санкт-Петербург

2002

Цель работы: Ознакомиться с основными закономерностями поглощения b-излучения веществом и с некоторыми практическими задачами, которые могут быть легко разрешены с помощью b-излучения.

Теоретическое обоснование: b-распад представляет собой ядерное превращение, при котором один из нейтронов ядра превращается в протон с испусканием электрона. При этом на единицу меняется порядковый номер элемента, а массовое число сохраняется. Кроме того, при превращении нейтронов в протон (или наоборот) должен соблюдаться закон сохранения спина (собственного момента количества движения частиц), т.е. если до реакции спин был в единицах целый (полуцелый), то и суммарный спин продуктов реакции должен быть целый (полуцелый).

В настоящее время радиоактивные изотопы находят широкое применение для решения, как научных проблем, так и важных практических задач. Во многих случаях для контроля качества изделий, счета предметов, автоматизации производственных процессов, сигнализации и т.д. Весьма удобным является применение b-радиоактивных изотопов.

При практическом применении b-радиоактивных препаратов используется способность b-излучения пронизывать заметные слои вещества. Наша атомная промышленность выпускает различные b-радиоактивные препараты.

При прохождении пучка электронов через слой вещества только часть из них попадает в счетчик. Медленные электроны затормозятся и останутся внутри слоя. Некоторая часть отразится от слоя. Быстрые электроны в результате рассеяния получат самые различные направления после прохождения слоя, только часть из них попадет в счетчик. С ростом толщины слоя число поглощаемых электронов быстро растет и поэтому число электронов, доходящих до счетчика, очень резко падает. При некоторой толщине слоя даже самые быстрые электроны перестают попадать в счетчик. Эта толщина называется толщиной слоя полного поглощения. Кривая зависимости числа электронов, зарегистрированных счетчиком, от толщины слоя называется кривой поглощения.