Методические указания к выполнению контрольной работы по микросхемотехнике, страница 3

2.  Что такое примесная проводимость полупроводников? Какие примеси создают электронную или дырочную проводимость?

3.  Какие процессы происходят в электронно-дырочном переходе? Объясните возникновение потенциального барьера в p-n – переходе при приложении внешнего прямого и обратного напряжения?

4.  Изобразите полную вольт - амперную  характеристику полупроводникового диода, дайте определения основных параметров диода.

5.  Объяснить физические принципы работы биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n – структур. Какими условиями обеспечиваются усилительные свойства транзисторов?

6.  Начертить схемы включения транзисторов с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). Объяснить основные свойства каждой из этих схем.

7.  Изобразите вид выходных и входных характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером.

8.  Объясните принцип действия полевых транзисторов с затвором в виде p-n – перехода и их выходные и регулировочные (проходные) характеристики.

9.  Объясните принцип действия полевых транзисторов структуры МДП с встроенным и с индуцированным каналами и их выходные и регулируемые характеристики.

10. Каков характер работы тиристора? В каких устройствах находят применение тиристорs?

11. Дайте определения основных статических и динамических параметров тиристоров?

12. Сделайте ориентировочный расчет параметрических стабилизаторов напряжения для следующих условий:

А) при постоянном токе нагрузки Iн=100мА и нестабильной ЭДС источника питания Uип=6…8В для стабилизации напряжения Uст=4,7В (рис4)

Б) при постоянной ЭДС источника питания Uип=16В с внутреннем сопротивлением Rвн= 40 ОМ и изменяющемся токе нагрузки в пределах Iн=100…10мА для стабилизации напряжения на уровне Uст=9  (рис.5)

                       

            Рис.4                                                                      Рис.5

Указание: Для каждого случая определить величину сопротивления балластного резистора R_б, определить токи в балластном резисторе и стабилитроне в предельных (минимальном и максимальном) режимах, мощности, выделяемые в R_б и D_C.

13. Для каких цепей применяются оптроны? Виды оптронов и их основные свойства и параметры.

14. Опишите принципы действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов и терморезисторов.

15. По характеристикам заданного транзистора (см. табл.2) определить все его h- параметры.

                                                                                                              Таблица 2

Вариант	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Тип тран- зистора	ГТ- 101А	КТ- 205Б	КТ- 312Б	КТ- 403А	КТ- 506В	КТ- 602А	ГТ- 304А	КТ- 701А	КТ- 815Б	КТ- 925А

К теме 3. Электронные усилители

1.  В чем состоит принципиальное отличие усилителей переменного тока (напряжения, мощности) от усилителей медленно меняющихся сигналов (усилителей постоянного тока, УПТ) по схемным признакам и по свойствам?

2.  Начертите схему усилительного каскада переменного тока на биполярном транзисторе с общим эмиттером. Объясните назначение всех её элементов.

3.  Каковы основные особенности транзисторных усилителей по схемам с ОЭ, ОК, ОБ?

4.  Произведите расчет транзисторного промежуточного каскада усиления напряжения с ОЭ, работающего в режиме класса А на нагрузку, данные которой приведены в табл. 3 (по вариантам). (Выбрать транзистор по табл. П-2, в соответствии с данными ниже методическими указаниями, рассчитать величины R_K, C₁, C₂, перечертить на миллиметровку входные и выходные характеристики  выбранного транзистора, построить на семействе выходных характеристик линию нагрузки по постоянному току, выбрать точку покоя и рассчитать сопротивления резисторов цепи смещения  базы R_б1 и R_б2). Определить входной ток, напряжение и коэффициенты усиления каскада по напряжению, току и мощности. Схема усилителя дана на рис.6.

Таблица 3

Вариант	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Выходное напряжение Uвых, В	2,4	4	2,8	5	4,2	2,1	1,4	7	5,6	2,8
Сопротивление нагрузки RH. кОм	2	1,2	0,4	2	1	0,7	0,4	0,5	0,7	1,4
Диапазон частот fмин-fmax кГц	0,1-20	0,2-20	100-1000	0,05-20	100-3000	100-3000	100-3000	0,02-20	0,04-20	3000-30000

Указания. Напряжение питания каскада определяется по выражению:

,

где  – коэффициент динамической нагрузки. Большие значения К_g  дают более полное использование транзистора по напряжению, меньше – по току.

Средний ток (ток покоя) транзистора определяется предварительно по соотношению

Максимальный ток коллектора

,

Транзистор выбирают по условиям:

,

причем, не допускается, чтобы два параметра были близки к предельным. Если по предварительному расчету транзистор выбрать затруднительно, расчет повторяют, задаваясь другим значение К_g.

Для выбранного типа транзистора находят в справочниках (приложение П-3) его характеристики, (перечертить их в тетрадь) и на них строят линию нагрузки по постоянному току по двум точкам: А – закрытый транзистор I_K=0,  U_K =U_ип; В – открытый транзистор I_K=U_ИП/R_К U_K=0, соединив точки А и В прямой линией.