Анализ технического задания. Составление карты распределения адресного пространства. Модуль управления и индикации CPAN, страница 9

Микросхема КР537РУ10 является 8-битной совмещенной по входам/выходам данных БИС ОЗУ, с третьим состоянием выходов и с одиннадцатиразрядным адресом. Вход WR/RD, является входом записи/считывания. Вход CEO, является входом разрешения по выходу.

Модуль ОЗУ приведен на рис. 15. На вход WR/RD поступает сигнал C1 с контроллера системной шины. На адресные входы поступают разряды адреса А1-А11 с шины адреса. Вход CEO – заземлен. Так как память разделена на банки, то их подключение, не одинаковое. Нулевой банк связан с младшей половиной шины данных. Сигнал на вход СS нулевого банка формируется из сигналов A0, A14. Микросхема будет выбрана, если эти сигналы в состоянии низкого уровня. Кроме того, так как этот банк – энергонезависимый (см. п. 3.2), он подключается к аварийному источнику питания. Необходимо обеспечить, чтобы при аварийном отключении основного источника питания МПС, в микросхеме поддерживался режим хранения, что соответствует высокому уровню сигнала CS. Это обеспечивается установкой инвертора, подключенного к аварийному источнику питания. При выключении напряжения питания всех управляющих цепей на вход CS банка 0 ОЗУ подается положительный уровень с выхода инвертора, на входе которого в это время низкий уровень гарантирован за счет подключения резистора R4 ОМЛТ-0,125-10 кОм ±10% по рекомендации [3].

Первый банк связан со старшей половиной шины данных. Сигнал на вход СS нулевого банка формируется из сигналов BHE, A14. Микросхема будет выбрана, если все они в состоянии низкого уровня. Данный банк – не является энергонезависимым.

3.5.  Разработка модуля ПЗУ

Так как шина данных процессора – 16-разрядная, разобьем память на 2 банка – для хранения младшего и старшего байтов соответственно.

Под ПЗУ для решения нашей задачи требуется 800 байт, поэтому под каждый банк используем микросхему ПЗУ КР1656РЕ4[4]. Ее информационная емкость равна 8 Кбайт. Таким образом общая емкость ПЗУ - 16 Кбайт.

Назначение выводов микросхемы указано в табл. 9.

Таблица 9

Выводы

Обозначение

Назначение

1...8,18,19,21...23

A7...A0,A12,A11,A10...A8

Адресные входы

9...11,13...17

DO0...DO7

Выход данных

20

CS

Выбор микросхемы

24

UCC

Напряжение питания

12

GND

Общий

Рис. 15. Функциональная схема модуля ОЗУ.


Эта микросхема обеспечивает запас для возможных изменений алгоритмов управления, при которых требуемая емкость увеличивается в 10-15 раз.

Электрические и динамические параметры для микросхемы КР1656РЕ4 приведены в табл. 10.

Таблица 10

Параметры

Значения параметров

Мин.

Макс.

Напряжение питания, UCC , В

4,5

5,5

Ток потребления, ICC , мА

-

185

Входной ток низкого уровня, IIL , мА

-

0,25

Входной ток высокого уровня, IIH , мкА

-

40

Выходной ток низкого уровня, IOL , мА

-

15

Выходной ток высокого уровня, IOH , мА

-

2

Выходной ток утечки в режиме хранения, ILO , мкА

-

100

Время выборки адреса, tA(A), нс

-

55

Время выбора, tCS, нс

-

40

Время запрещения выходных данных после сигнала CS, tDIS(CS), нс

-

40

Входная емкость, CI, пФ

-

10

Выходная емкость, CO, пФ

-

15

Емкость нагрузки, CL, пФ

-

30