Исследование полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов. Принципы работы диодов, стабилитронов тиристоров и транзисторов на основе их вольтамперных характеристик, страница 2

1.7. Включите питание стенда. Увеличивая напряжение потенциометром R4 , снимите показания миллиамперметра и вольтметра.

Результаты измерений занесите в таблицу, аналогичную табл. 1.1.

1.8. Установите переключатель SB2 в положение «-». Убедитесь, что диод не проводит ток в обратном направлении. Установите переключатель SB2 в положение «+».

1.9. Установите потенциометр R4 в крайнее левое положение и отключите стенд. Разберите схему.

1.10. Используя две таблицы, полученные в результате измерений, постройте характеристику Iпр(Uпр). Определите графически напряжение отпирания диода Uотп и напряжение насыщения диода Uнас

(см. рис. 1.1).

1.11. Повторите пункты 1.2-1.10 для диода VD2 , подключенного между точками 7 и 0.

1.12. Повторите пункты 1.2-1.10 для диода VD3, подключенного между точками 8 и 0.

2.  Исследование ВАХ стабилитрона

2.1.  С помощью гибкой перемычки соберите схему для исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона VD4 , показанную на рис. 1.6. Для этого соедините на стенде точки 11 и 9. Переключатель SB2 должен быть в положении «+». Цифровой вольтметр подключите между точками 11 и 0.

Рис. 1.6

2.2.  Включите стенд. Увеличивая напряжение, снимите показания миллиамперметра и вольтметра, начиная с момента отпирания (пробоя) стабилитрона (когда начнет возрастать ток). Результаты измерений занесите в таблицу, аналогичную табл. 1.1, записывая значения обратного тока Iобр и обратного напряжения Uобр со знаком «−».

2.3.  Установите потенциометр R4 в крайнее левое положение.

2.4.  Установите переключатель SB2 в положение «−» и снимите прямую ветвь ВАХ стабилитрона.

2.5.  Отключите стенд. Разберите схему.

2.6.  Постройте на одном графике прямую и обратную ветви ВАХ стабилитрона. На обратной ветви определите графически значение напряжения стабилизации Uст, а также дифференциальное сопроUст.max Uст.min тивление стабилитрона: rст = (см. рис. 1.1).

Iст.max − Iст.min

3.  Исследование работы тиристора 

3.1.  С помощью гибких перемычек соберите схему для исследования тиристора VS, показанную на рис. 1.7. Для этого соедините на стенде точки 3 и 4 и 5 и 11. Переключатели SB1 и SB2 должны быть в положении «+». Цифровой вольтметр подключите между точками 11 и 0.

3.2.  Установите потенциометр R1 в крайнее левое положение, а потенциометр R2 – в крайнее правое. Включите стенд и плавно увеличивайте ток управления тиристора с помощью R1 до момента отпирания тиристора (когда ток анода возрастет скачком). В момент отпирания тиристора зафиксируйте значения тока управления Iупр, тока анода Iа и напряжения анод-катод Uпр.

Рис. 1.7

3.3.  Уменьшите ток управления до нуля и убедитесь, что тиристор остается в открытом состоянии. Медленно уменьшая ток анода Iа с помощью потенциометра R4 , определите минимальный анодный ток удержания Iуд тиристора в тот момент, когда ток анода Iа упадет скачком до нулевого значения.

3.4.  Отключите стенд. Разберите схему.

4.  Исследование работы биполярного транзистора.

4.1.  С помощью гибких перемычек соберите схему для исследования семейства выходных ВАХ биполярного транзистора VT1, показанную на рис. 1.8. Для этого соедините на стенде точки 3 и 14, 15 и 11. Переключатели SB1 и SB2 должны быть в положении «+». Цифровой вольтметр подключите между точками 11 и 0.

Рис. 1.8

4.2.  Включите стенд и с помощью потенциометра R1 установите фиксированный ток базы Iб1 транзистора. Затем, изменяя напряжение коллектор-эмиттер Uкэ транзистора с помощью потенциометра R4 , запишите значения тока коллектора Iк транзистора. Результаты измерений занесите в табл. 1.2.

4.3.  Установите новый ток базы Iб2 транзистора и повторите измерения, записывая результаты в табл. 1.2. Повторите измерения еще при трех значениях тока базы транзистора.

4.4.  Установите потенциометры в крайнее левое положение и отключите стенд.

Таблица 1.2