Основные физические понятиями и процессы, протекающие в современных элементах электронной техники – активных полупроводниковых и электронных приборах, страница 8

5.  Содержание дисциплины

5.1 Распределение учебного материала по видам занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Распределение по видам (час)

1

2

Лекции

Лз

Срс

1

2

3

4

5

6

Полупроводниковые диоды.

Биполярные транзисторы.

Полевые транзисторы.

Основы микросхемотехники.

Цифровые микросхемы.

Аналоговые микросхемы.    

3

4

3

2

3

3

4

2

2

4

6

8

8

4

8

8

5.2 Содержание лекционного курса

1. Полупроводниковые диоды. Выпрямительные диоды, ВАХ диода, рабочие и предельные параметры диода, ключевые и частотные свойства диода. Работа выпрямительного диода в одно- и двухполупериодного схемах выпрямления.

Стабилитроны, импульсные, туннельные, обращённые диоды, их параметры и области применения, ВАХ.   Статические и динамические модели        полупроводниковых диодов.

2. Биполярные транзисторы. Принцип действия, режимы работы и разновидности БПТ, основные схемы включения, частотные и ключевые свойства. Статические характеристики в собственных, h- и y-параметрах, статические и динамические модели БПТ.

3. Полевые транзисторы. Полевые транзисторы с управляющим переходом, с изолированным затвором, с встроенным и индуцированным каналами. Принцип действия, схемы включения, и характеристики ПТ, усилительный и ключевой режимы работы, частотные свойства.

4. Основы микросхемотехники.    Основные понятия микроэлектроники. Разновидности технологий изготовления интегральных микросхем. Пассивные элементы ИМС – резисторы, конденсаторы, индуктивности.

Активные элементы ИМС – биполярные и полевые транзисторы, их применение для выполнения  различных функций.

Основные этапы   физико – технологических процессов изготовления активных и пассивных элементов полупроводниковых и гибридных ИМС.

5.Цифровые микросхемы. Основные логические функции. Логические элементы, их статические характеристики и параметры. Серии ЛЭ, базовые элементы ТТЛ, ЭСЛ, ИИЛ, МОП серий, их сравнительные параметры и особенности. Применение ЛЭ для построения генераторов, одновибраторов, формирователей. Комбинационные логические устройства: мультиплексоры и демультиплексоры, преобразователи кодов, шифраторы и дешифраторы, компараторы. Последовательные логические устройства: триггеры, регистры, счётчики. Полупроводниковые запоминающие устройства. Элементы ОЗУ на биполярных и полевых транзистора. Элементы ЗУ на ЛИПЗ – МОП, МНОП транзисторах, на ЦМД и ПЗС. Логические устройства с программируемыми характеристиками – ППЗУ, ПЛМ. Базовые матричные кристаллы.

6. Аналоговые микросхемы. Операционные усилители – структурные схемы, основные параметры и характеристики, разновидности, применение. Аналоговые компараторы напряжения, перемножители, коммутаторы.

5.3.   Содержание лабораторных занятий

№ пп

Номер раздела

Наименование лабораторной работы

1

2

3

4

1

2,3

4,5

6

Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов

Исследование биполярных и полевых транзисторов

Характеристики операционных усилителей

Основные логические элементы

6.  Учебно-методическое обеспечение дисциплины.

6.1.Основная литература

1.  Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шиннков И.Д., Полупроводниковые приборы, М., Высшая школа, 1981.

2.  Гутников В.С., Интегральная электроника в измерительных устройствах, Л., Энергоатомиздат, 1988.

3.  Прянишников В.А., Электроника (курс лекций), CПБ, “Корона принт”, 1998.

4.  Опадчий Ю.Ф., Глуднин О.Н., Гуров А.И., Аналоговая и цифровая электроника (учебник для ВУЗов), М., “Горячая линия – телеком”, 2000.

6.2. Дополнительная и справочная литература

1.    Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я., Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах. Справочник, М., Радио и связь, 1990.