Основные физические понятиями и процессы, протекающие в современных элементах электронной техники – активных полупроводниковых и электронных приборах, страница 3

5.  Какую структуру имеет трансляционная решётка Бравэ?

6.  Какие атомы располагаются в узлах решётки Бравэ?

7.  Каким количеством параметров описывается решётка Бравэ?

8.  Сколько узлов имеет элементарная ячейка простой кристаллической решётки?

9.  Сколько узлов имеет элементарная ячейка сложной кристаллической решётки?

10. Чем определяется положение любого узла кристаллической решётки?

11. Чем определяются направления в кристалле?

12. Чем определяется плоскость в кристалле?

13. Какой вид связи между частицами характерен для ионных кристаллов?

14. Какой вид связи между частицами характерен для атомных (ковалентных) кристаллов?

15. Какой вид связи между частицами характерен для металлических кристаллов?

16. Какой вид связи между частицами характерен для молекулярных кристаллов?

17. Чем характеризуются дефекты по Френкелю кристаллов твёрдого тела?

18. Чем характеризуются дефекты по Шоттки кристаллов твёрдого тела?

19. Если примесные атомы располагаются в узлах решётки основного вещества, то как называется такой твёрдый раствор?

20. Если примесные атомы располагаются в междоузлиях решётки основного вещества, то как называется такой твёрдый раствор?

21. Как направлен вектор Бюргерса краевой дислокации?

22. Как направлен вектор Бюргерса винтовой дислокации?

23. Где расположена экстраплоскость в положительной краевой дислокации?

24. Где расположена экстраплоскость в отрицательной краевой дислокации?

25. Как ведут себя одноимённые краевые дислокации, находящиеся в одной атомной плоскости?

26. Как ведут себя разноимённые краевые дислокации, находящиеся в одной атомной плоскости?

27. Как ведут себя атомы примеси при наличии винтовых дислокаций?

28. С чем могут взаимодействовать винтовые дислокации?

29. Какого типа бывают винтовые дислокации?

Основы зонной теории твёрдых тел.

1.  Какие энергетические зоны у собственного полупроводника при t = 0oК заполнены?

2.  У р - полупроводников где находится примесный уровень?

3. Какие условия необходимы для возникновения электрической проводимости полупроводника ?

4.  У n – полупроводников где находится примесный уровень?

5.  У какого полупроводника (Si, Ge, GaAs) шире запрещённая зона?

6.  р – полупроводник имеет примесь какой валентности?

7.  n – полупроводник имеет примесь какой валентности?

8.   р – кремний имеет примесь какой группы?

n – германий имеет примесь какой группы?

10. Вырожденный полупроводник имеет

11. Как изменяет проводимость примесь пятой группы?

12. Как изменяет проводимость примесь третьей группы?

13. Как с ростом температуры изменяется проводимость собственного полупроводника?

14. Что такое собственный полупроводник?

15. Что является основными носителями в полупроводниках с донорной примесью?

16. Что является основными носителями в полупроводниках с акцепторной примесью?

17. Какую валентность имеет донорная примесь для кремния и германия?

18. Какую валентность имеет акцепторная примесь для кремния и германия?

19. Могут ли электроны перемещаться в пределах заполненной энергетической зоны?

20. Имеется ли запрещённая зона у металлов?

21. Могут ли перекрываться частично заполненные зоны?

22. Где находится зона проводимости?

23. Является ли наличие свободных электронов достаточным условием для возникновения электрической проводимости?

24. У диэлектриков или полупроводников шире запрещённая зона?

25. Что представляет собой неукомплектованная валентная связь?

26. Что является основными носителями в собственных полупроводниках?

27. Чем отличаются отрицательный ион и электрон?

28. Чем отличаются положительный ион и дырка?

29. Чему эквивалентен суммарный ток всех электронов валентной зоны, имеющей одно вакантное состояние?

30. Какие уровни занимают электроны  валентной зоны в состоянии теплового равновесия”

31. Что представляют собой вакантные уровни валентной зоны, появляющиеся при температуре выше абсолютного нуля?

17. Где находится уровень Ферми собственного полупроводника при температуре выше абсолютного нуля?