Структура и элементная база цифровых систем. Реализуемая логическая функция. Нагрузочная способность, страница 24

                    RD   

Микросхема с поразрядной выборкой                                 м/c  со словарной выборкой

N_и = N_c х 1,  N_с – количество слов                                              N_и  =  N_с х к     

Структура микросхемы памяти

    A₀            

                                ДШХ                                    Матрица ЭП 256 х 1 

    A₁

    A₂ 

    A₃

 

      DI

      CS                      СУ                                                 ФЗС                      БК                 DO   

WR

         RD   

 

                                                                                                                                                  

ДШУ                             

A ₄     A ₅    A₆      A₇ 

Временная диаграмма работы микросхемы памяти

 

A

 

                     CS

 

   WR                 

            RD   

DI                                  Данные

 

                     DO                                                                                                Данные

 

                                                                             t_ц                               t_в    

            Время выборки относительно входного сигнала выборки  CS при  считывании:

t_в = t_су + t_дш +  t_эп +  t_зс       В режиме хранения  ДШХ , ДШУ,  и ФЗС могут быть отключены.

При словарной выборке ЭП в накопителе объединяются в группы по  “к” элементов. ЭП одной группы выбираются одновременно, т. е. записываются или считываются  “к” разрядное число. Для уменьшения числа выводов используются двунаправленные выводы DIO, которые при записи работают как входы DI, а при считывании – DO.

Микросхемы словарного типа имеют дополнительный вход разрешения выдачи OE.   При сигнале        

   OE = 1 выход DO находится в отключенном состоянии, а при OE = 0 производится выдача считанной информации.

Для уменьшения числа адресных выводов используется их временное мультиплексирование, т.е. разделение во времени приема адреса строки и адреса столбца. При этом на входах ДШХ и ДШУ включаются регистры RGX  и   RGY, в  которые заносятся адреса строки и столбца в зависимости от значений стробов RAS  и   CAS. При последовательной  выборке ЭП одной строки ее адрес достаточно занести в RGX один раз, а затем устанавливая различные адреса столбцов и подавая сигналы CAS = 0, осуществлять обращение к различным ЭП. Такой режим называется  страничной выборкой. Она позволяет уменьшить время  t_в и  t_ц.

Микросхемы ПЗУ имеют структуру, аналогичную микросхемам ОЗУ, только вместо  схемы ФЗС используется схема считывания, а вход WR / RD отсутствует. 

 

             А₀    PROM  DO₀                                             A₀    EPROM DIO₀         

 

             А₉

                                  DO₃                                              A₉

             CS₁                                                                       

                                                                                      CS

             CS₂                                                                    OE

 

                                                                                       PR                  DIO₇  

                                                                                      U_PR                                                      

В репрограммируемом   ПЗУ (РПЗУ) содержатся схемы, которые формируют сигналы, обеспечивающие запись информации в ЭП. Режим программирования задается сигналом PR. В этом случае  на дополнительный вход U_PR подается импульс программирующего напряжения  повышенной амплитуды. В таких  микросхемах обычно используется  вход разрешения выдачи OE.