Информатика и выч. техника \ Компьютерные операционные системы

Структура и элементная база цифровых систем. Реализуемая логическая функция. Нагрузочная способность, страница 23

При последовательной выборке содержимое каждой ячейки может считываться или производиться запись в ячейку только через определенное время,называемое периодом обращения Т_о. Обычно такой способ выборки используется во внешних ЗУ. Например, считывание информации по определенному адресу с диска возможно только в момент прохождения нужной ячейки под считывающими головками.

Последовательная выборка используется также в стековых ЗУ, когда запись или считывание осуществляется в соседних ячейках памяти. В этом случае адрес ячейки, к которой можно обратиться в данный момент времени, хранится в специальном регистре, называемом указателем стека. Существует также такой тип памяти по способу выборки – ассоциативное ЗУ. В этом случае выборка производится по ассоциативному признаку.

Наибольшее распространение получили микросхемы памяти с произвольной выборкой.

Основные параметры микросхем памяти:

1. информационная емкость N_и – максимальный объем хранимой информации, который определяется числом ЭП в микросхеме;

В зависимости от структуры микросхемы организация выборки может быть поразрядной, когда происходит выборка только одного ЭП, или словарной, когда из одной микросхемы выбирается к- разрядное слово ( число). Обычно к = 4, 8 и т.д. Например, микросхема еикостью 1 КБ может иметь организацию 4096 х 1, 1024 х 4, 512 х 8, 256 х 16.

2. время выборки t_в– интервал времени между моментом поступления сигнала выборки и появлением считанной информации на выходе микросхемы;

время цикла t_ц записи – считывания - это минимально допустимое время между подачей сигнала выборки при записи и сигнала выборки для следующей за ней операции считывания.

3. потребляемая мощность

Потребляемая мощность для ряда типов микросхем памяти существенно зависит от режима их работы. В режиме хранения потребляемая ЭП мощность может существенно снижаться до минимального уровня, необходимого для хранения информации, а схемы обслуживания могут отключаться от источника питания.

В режиме выборки включаются схемы обслуживания, а мощность выбираемых ЭП часто увеличивают, чтобы обеспечить малые значения t_в и t_ц . В результате P_хр<< P_в

Особенно заметно такое соотношение в микросхемах памяти, реализовнных на элементах КМДП.

Значения всех параметров определяются выбором элементной базы, используемой в накопителе и схемах обслуживания.

Наибольшее быстродействие обеспечивают микросхемы на биполярных транзисторах. Однако, они потребляют значительно большую мощность, чем микросхемы на КМДП – структурах, и имеют меньшую информационную ёмкость по сравнению с ними. В ряде случаев целесообразно использовать различные элементы в накопителе и схемах обслуживания (комбинированная элементная база).