Физические основы защиты информации от технической разведки, страница 88

qi

Рис.4.7. Структура ПЗС

На рис. 4.8 представлен пример работы ТВР при малых освещенностях объекта, которая заключается в следующем. Пластины из полупроводника, нанесены на диэлектрик и от каждой идет съемная шина. Уровень заряда q пластины пропорционален освещенности пластины. Размер пластины- 5-7 микрон.

Фактически матрица проецируется на изображение, то есть на приемник. Получаем поле электрических зарядов, величина которого пропорциональна распределению яркости. Так как граница между соседними ПЗС элементами четко очерчена, а каждый элемент имеет собственный шум, то на результирующей картинке получается мозаичная структура. Фон каждого элемента картинки отличается от соседнего. Вместо распределения яркости - распределение интенсивности зарядов.

 


Рис.4.8. Освещение аппаратуры телевизионной разведки

4.  В отличие от ФР (границы изображения не резкие, т.к. различный размер гранул), в ТВР появляются шумы дискретизации.

Исходная матрица находится в фокусе линзы, когда она проецируется на землю, то образуется квадрат. Уровень зарядов разный, следовательно, элементы матрицы при одинаковой освещенности будут разными. На рис. 4.9 показано распределение потенциала по матрице.

                                                       Еi

Рис.4.9. Распределение потенциала по матрице

У каждого элемента матрицы есть кривая i).

Уровень  зависит от размеров, частоты элементов, следовательно, разброс и уровень зарядности будут отличаться и на выходе будет мозаика. Матрица позволяет получить изображение в цифровом виде и можно делать обработку изображения.

5.  Возможность применения алгоритмов цифровой обработки изображения для получения дешифрующих свойств изображения и согласования объема передаваемой информации с характеристиками канала связи, при этом возможно повысить дешифровочные свойства за счет увеличения градиента яркости.