The temperature of a substrate, while the covering is drawing on it’s surface, страница 43

1.  J. Walkowicz, K. Miernik, A. Zykov, S. Dudin, V. Farenik. Pulsed-plasma assisted magnetron methods of depositing TiN coatings// Surface and Coatings Technology, № 125, 2000, р. 341–346.

2.  J.-S. Leibig, P. Frach. Numerical modeling of charged motion in electric and magnetic field to assist magnetron design// Surface and Coating Technology, № 97, 1997, р. 626-632.

3.  Mieko Kashiwagi, Shunji Ido. Computational analyses of a magnetron sputtering system with a ferromagnetic target// Vacuum, № 53, 1999, р. 33 36.

4.  P.J. Kelly, R.D. Arnell. Magnetron sputtering: a review of recent developments and applications // Vacuum, № 55, 2000, р. 159 – 172.

5.  P.K. Petrov, V.A. Volpyas, R.A. Chakalov. Three-dimensional Monte Carlo simulation of sputtered atom transport in the process of ion-plasma sputter deposition of multicomponent thin films// Vacuum, № 52, 1999, р. 427434.

6.  Petr Spatenka, Jaroslav Vlcek, Josef Blazek. Langmuir probe measurements of plasma parameters in a planar magnetron with additional plasma confinement// Vacuum, № 55, 1999, р. 165 – 170.

7.  S. Senthil Nathan, G. Mohan Rao, S. Mohan. Transport of sputtered atoms in facing targets sputtering geometry: A numerical simulation study// Journal of applied physics,Vol. 84, № 1, 1 JULY 1998.

8.  Vincent S. Smentkowski. Trends in sputtering// Progress in Surface Science, № 64 (2000), р.1-58.

9.  Арцимович Л.А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. – М.: «Наука», 1972.

10.Барвинок В.А. Управление напряженным состоянием и свойства плазменных покрытий. – М.: Машиностроение, 1990, -384 с.: ил.

11.Барченко В.Т., Новиков А.А. Методика проектирования приборов и устройств высоковольтного тлеющего разряда с анодной плазмой с применением ЭВМ. – Винница: ВПИ, 1989, -59 с.

12.Басыров Р.Ш., Зиганшин Р.Р. К теории аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях// Вакуумная техника и технология. 1997. Т. 7. № 3. С. 38-40.

13.Басыров Р.Ш., Кашапов Н.Ф., Лучкин Г.С. Модель приэлектродных процессов в магнетронных распылительных устройствах// Прикладная физика, 2003, №5, с. 37-41.

14.Беспалов В.А., Егоров В.В., Ким В. Особенности работы ускорителя с замкнутым дрейфом электронов// Эл. техника. Сер. 3 Микроэлектроника, Вып.5(111), 1984.

15.Бишаев А.М., Девашова Л.Н. Приближенные расчеты параметров струи ускорителя с замкнутым дрейфом электронов// Физика и техника высокотемпературного газа. –1991.

16.Болотов А.В., Шепель Г.А. Электротехнологические установки: Учеб. Для вузов по спец. "Электроснабжение пром. предприятий". – М.: Высш. шк.; 1988. –336с.: ил.

17.Бухгольц Г. Расчет электрических и магнитных полей. – М.: Энергия, 1961.

18.Гавва В. Н., Голованова М. А. Экономическая оценка инженерных решений. Харьков: ХАИ, 1999.

19.Горбачев Л.П., Максименко В.В. О влиянии эффекта Холла на вращательное движение несжимаемой плазмы с скрещенных электрическом и магнитном полях// ЖТФ, 1975, XLV, вып. 5, 1030.

20.Грановский В.Л. Электрический ток в газе. - М.: Наука. 1971. - 544 с.

21.Данилин Б.В., Долинский В.А., Шинкаренко Ю.Л. Получение тонкопленочных слоев равномерной толщины на подложках сложного профиля// Эл. техника. Сер. 3, Микроэлектроника, 1973, вып. 6(46), с. 94-101.

22.Данилин Б.С. Вопросы обеспечения равномерной толщины пленок при осаждении их на большие поверхности// Заруб. эл. техника, 1971, вып. 7, с. 3-24.

23.Данилин Б.С. Выбор оптимального давления рабочего газа и межэлектродного расстояния в диодных системах ионного распыления и травления// Эл. техника. Сер. 3, Микроэлектроника, 1976, вып. 2(62).

24.Данилин Б.С. Исследование равномерности нанесения тонкопленочных слоев в магнетронных распылительных системах// Физика и химия обработки материалов, 1979, вып. 3, с.108-112.