Математика \ Математическое моделирование

MicroTec 3.02:Руководство пользователя (МicroTec: Полупроводниковый TCAD калькулятор. Интерфейс пользователя MicroTec. Графика MicroTec: SibGraf), страница 12

Замечание:  В настоящей версии SiDif позволяется только один шаг с отжигом в окислительной среде.  После образования оксида могут быть  смоделированы только имплантация, напыление и  отжиг в инертной среде.

Все директивы могут быть  одним из двух типов:  основные и директивы параметров модели.

Основные директивы SiDif:

* MESH : параметры области  вычислений и сетки.

* SUBS  : параметры подложки.

* SOLV : управление численным решение.

* PHDE:  напыление фосфора.

* BODE:  -”-               бора

* ASDE:  -”-                мышьяка.

* PHIM:   имплантация фосфора. 

* BOIM:   -”-                    бора.

* ASIM:    -”-                    мышьяка.

* OXID:    параметры окисления.

* ANNE:   параметры отжига.

*  EPIT:     формирование эпитаксиального слоя.

Директивы параметров модели SiDif.

* BAND: начальная концентрация носителей.

* DIFF:   диффузия  мышьяка, бора и  фосфора.

* OED :    диффузия, ускоренная окислением.

* DROX:  кинетические константы сухого окисления.

* WEOX:  кинетические константы влажного окисления.

*  LOCO:  параметры  “птичьего клюва”  формулы локального окисления.

*  SEGR:   параметры сегрегации.

Описание директив SiDif.

4.7.  Основные директивы SiDif.

MESH:  параметры области рассчета и сетки.

Наименование

Нач.значен.

Размерность

Описание

1

2

3

4

NX

30

нет

Количество узлов сетки в х-направлении (вдоль поверхности). Должно быть больше 3.

NY

30

нет

Количество узлов сетки в

y-направлении (вглубь области). Должно быть >3. Большее число узлов сетки дает большую точность, расходуя большее машинное время.

XX

1

мкм

Размер дамена в х-направлении. Дамен должен покрывать  область рядом с краями всех масок, где  имеют место  двухмерности.

YY

1

мкм

Размер дамена  в у-направлении. Должен быть достаточно глубоким, чтобы  покрывать  максимально ожидаемую глубину проникновения  имплантационной или напыленной примеси.

IM

1

нет

Этот ключ должен быть = 1 до однородной сетки. Если он =0 или отрицателен, сетка будет экспоненциально сгущаться  в начале координат.

AX

0

нет

Логарифм отношения двух соседних размеров шага сетки в х-направлении (если сетка не однородная).

AY

0

нет

Аналогичный параметр до y-направления. Параметры AX, AY могут быть  опущены если IM=1. Неоднородная сетка предпоч-тительна для моделирования, включающего относительно тонких структур около поверхности.

COMM

‘ Comm’

нет

Строка комментария.

SUBS:  параметры подложки.

Наименование

Начальное значение

Размерность

Описание

1

2

3

4

PH

1.1012

см-3

Начальная однородная концентра-ция фосфора.

BO

1.1012

см-3

Тот же параметр для бора.

AS

1.10n

см-3

Тот же параметр для мышьяка

OR

100

нет

ориентация кристаллич.решетки

COMM

‘Comm’

нет

строка комментария.

SOLV : контроль численного решения.

Скачать файл