Моделирование 9-элементной фар В САПР «MicrowaveStudio», страница 7

Разворачиваем в этом окошке с помощью клавиши <1LK> вложенное окно «Material» и в нем выбираем строку [PEC]. Нажимаем <ОK>, тем самым соглашаемся с активизацией параметров, которые указали в этом окне. После этого появится окно с именем «Shape intersection», в котором спрашивается (так как слои «solid 4» и «solid 7» пересекаются), какие действия с ними произвести. Указав клавишей <1LK> самую нижнюю строчку с именем «Cut away highlighted shape», нажимаем <ОK>. Этим действием мы удалили область металлизации с координатами, указанными в (4.4). Таким образом, завершается формирование отверстия и на экране появляется его изображение, показанное на рис. 4.10.

Остальные девять отверстий прорисовываются аналогично, только уже с другими, заранее рассчитанными координатами.

Последним шагом прорисовки топологии является прорисовка и соединение (пайка) металлизации обратной стороны подложки и резистора. Переходим к прорисовке металлизации. Как и в прорисовке остальных слоев металлизации, для упрощения задачи прорисовки очередного слоя нужно сразу, после того как активизировали иконку с изображением  («Create Brick»), отказаться, нажав на клавиатуре клавишу с надписью «Esc», от прорисовки точек. После этого появится окошко с именем «Solid 7» для задания ее геометрических размеров и параметров. В этом окне задаем следующие параметры:

                                                         (4.5)

Разворачиваем в этом же окошке с помощью клавиши <1LK> вложенное окно «Material» и в нем выбираем строку [PEC]. Нажимаем <ОK>, тем самым соглашаемся с активизацией параметров, которые указали в этом окне.

Переходим к прорисовке металлизации в отверстии. как и в прорисовке остальных слоев металлизации, для упрощения задачи прорисовки очередного слоя нужно сразу, после того как активизировали иконку с изображением  («Create Brick»), отказаться, нажав на клавиатуре клавишу с надписью «Esc», от прорисовки точек. После этого появится окошко с именем «Solid 8» для задания геометрических размеров и параметров. В этом окне задаем следующие параметры:

                                                    (4.6)

Разворачиваем в этом окошке с помощью клавиши <1LK> вложенное окно «Material» и в нем выбираем строку [PEC]. Нажимаем <ОK>, тем самым соглашаемся с активизацией параметров, которые указали в этом окне. После этого появится окно с именем «Shape intersection», в котором спрашивается (так как слои «solid 7» и «solid 8» пересекаются), какие действия с ними произвести. Указав клавишей <1LK> строчку с именем «None», нажимаем <ОK>.

Таким образом, завершается формирование металлизации и на экране появляется изображение соответствующего слоя. Остальные девять металлизаций прорисовываются аналогично, только уже с заранее рассчитанными координатами.

Чтобы объединить металлизацию слоев «solid 7», «solid 8» и «solid 4» (так же, как и в прошлом примере соединения металлизации фазовращателя и излучателя), нужно выполнить следующие действия. Слева в окне программы разворачиваем меню нажатием клавиши <1LK> на «+» напротив строчки с именем «Component». Если оно уже развернуто ранее, то нужно в соответствующем списке «Component» (или после развертывания этого списка) выбрать строчку с именем «component 1». Если и эта строка уже развернута, то в появившемся списке слоев маркируем (отмечаем) нужные нам слои (т.е. те слои, которые нужно соединить). Нажав и не отпуская на клавиатуре клавишу с именем «Ctrl», выбираем нажатием на мыши клавиши <1LK> строчки «Solid 7», «Solid 8» и «solid 4», после чего, отпустив клавишу «Ctrl», во второй сверху строке активизируем иконку с именем с изображением  и именем «Boolean Add». В результате этого получаем из трех слоев «Solid 7», «Solid 8» и «solid 4» один слой «Solid 4». Таким образом, завершается полное формирование 1-го излучателя проектируемой дипольной антенной решетки и на экране появляется его изображение, показанное на рис. 4.11.

Повторив соответствующее число раз описанные выше действия, прорисовываем топологию всей ФАР. На экране появляется изображение топологии, показанное на рис. 4.12.

Рис. 4.12