Моделирование 9-элементной фар В САПР «MicrowaveStudio», страница 2

Двойным нажатием левой клавиши мыши на подложке произвольно фиксируется первая точка прорисовки металлизации 2-го слоя. Перемещением мыши устанавливается вторая точка и фиксируется ее положение с помощью <2LK>. Так как топология излучателя передней стороны подложки имеет структуру в виде буквы «Г» (рис. 4.1), то для прорисовки этого слоя нам понадобится 6 точек. Еще одна, седьмая, завершающая прорисовку точка, двойным нажатием левой клавиши мыши устанавливается в положение первой точки топологии излучателя. Тем самым замыкается контур будущей металлизации части дипольного излучателя в виде буквы Г.

Затем легким смещением мыши устанавливается произвольно толщина подложки, ее величина фиксируется <2LK>. На экране появится второй слой многослойной структуры и окошко с именем «Solid 2» для задания его геометрических размеров и параметров.

как и при прорисовке 1-го слоя, для упрощения задачи прорисовки 2-го слоя можно сразу, после того как активизировали иконку с изображением  («Extrude»), отказаться, нажав на клавиатуре клавишу с надписью «Esc», от прорисовки точек. В результате выполнения «отказных» действий появится окошко создаваемого слоя с именем «Solid 2» для задания его геометрических размеров и параметров.

Поскольку металлизация (в данном случае – медная фольга), толщиной 20 мкм = 0.02 мм плотно прилегает к лицевой поверхности подложки, устанавливаем следующие значения в окне «Solid 2»: ; в строке с именем «Height» устанавливаем значение, равное 0.02 (т.е. установили толщину металлизации по орту  равную 20 мкм), а в столбцах  и  – значения, указанные в табл. 4.1 (в миллиметрах).

Разворачиваем в этом же окошке с помощью мыши вложенное окно (окошко со стрелкой вниз) «Material» и в нем выбираем строку [PEC] (Perfect electric conductivity – совершенная электрическая проводимость). Нажимаем <ОK>, тем самым соглашаемся с активизацией параметров излучателя (координат и материала), которые указали в этом окне. После проделанного на экране появляется изображение первой половины дипольного излучателя в виде буквы «Г» (рис. 4.1). Так как в целом дипольный излучатель состоит из двух частей, приступим к прорисовке второй его части.

Последовательность действий при прорисовке второй части излучателя аналогична прорисовке первой части излучателя (рис. 4.1), только структура ее будет в виде развернутой на 180 градусов буквы Г. Активизировав иконку с изображением   («Extrude»), следует отказаться, нажав на клавиатуре клавишу с надписью «Esc», от прорисовки точек, после чего появится окошко с именем третьего слоя «Solid 3» для задания его геометрических размеров и параметров. В появившемся окошке устанавливаем следующие значения: ; в строке с именем «Height» устанавливаем значение равное 0.02, а в столбцах  и  – значения, указанные в табл. 4.2 (в миллиметрах). Разворачиваем в этом же окошке с помощью мыши вложенное окно «Material» и в нем выбираем строку [PEC]. Для того чтобы узнать, будут ли соответствовать введенные координаты желаемой прорисованной структуре излучателя, нужно в окне, в котором вводили координаты и параметры (т.е. в данном случае в окне «Solid 3»), нажать кнопку с именем <Preview>. Нажимаем <ОK> – тем самым соглашаемся с активизацией параметров излучателя, которые указали в этом окне.

Таким образом, завершается формирование второй части излучателя, и на экране появляется его полное изображение (рис. 4.2) в левом верхнем углу подложки в плоскости XOY.

Прорисовка остальных восьми излучателей ФАР осуществляется аналогично прорисовке одного излучателя, только с другими заранее рассчитанными координатами. В результате формируется топология будущего антенного полотна ФАР из 9 излучателей, приведенная на рис. 4.3.

Переходим к прорисовке металлизации (это будет по счету уже четвертый слой) обратной (задней) стороны подложки, ориентированной в отрицательном направлении оси Z [т.е. по орту ].

Рис. 4.3