Электротехника \ Электроника

Исследование полупроводниковых диодов: Методические указания для выполнения лабораторной работы № 1 по дисциплине "Электроника", страница 3

Лабораторная работа выполняется при помощи пакета программ Workbench EDA 5.0. Для выполнения л.р. необходимо открыть файл Эл.устр.1.1.ewb, находящийся по адресу Lab/Эл.устр./1

 4.1. Снятие прямой ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рис 5. Вольтамперные характеристики снимаются для температуры корпуса диода +20˚С. Для снятия прямой ветви вольтамперной характеристики, после запуска процесса моделирования, необходимо изменять значение напряжения источника E и наблюдать за показаниями амперметра A.

 При снятии характеристик диодов, обязательно отметить значения напряжений Uпор  при котором наблюдается резкое увеличение тока.

Результаты внести в  таблицу 1. Изменение напряжение производить с шагом 0, 1 В. Данные занести в таблицу 1 с указанием типа исследуемого диода.

4.2. Снятие обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

Для выполнения данного пункта л.р. необходимо  открыть файл Эл.устр_1.2.ewb, находящийся в каталоге Workbench_5.0 по адресу Lab/Эл.устр/1/ Эл.устр_1.2.ewb.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рисунке 6. Для снятия обратной ветви вольтамперной характеристики, после запуска процесса моделирования, необходимо изменять значение напряжения источника E и наблюдать за показаниями амперметра A.

D223А
 
Подпись:

 


Изменения напряжения производить:

-  с 0 до 0,2В с шагом 0,02В;

-  с 0,2В до 1В с шагом 0,1В;

-  с 1В до 10В с шагом 1В.

Данные занести в таблицу 2 с указанием типа исследуемого диода.

4.3. Исследование частотных свойств полупроводниковых диодов.

Для выполнения данного пункта л.р. необходимо  открыть файл Эл.устр_1.3.ewb, находящийся в каталоге Workbench_5.0 по адресу Lab/Эл.устр/1/ Эл.устр_1.3.ewb.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рис 7.

 В процессе выполнения данного пункта работы необходимо изменять частоту генератора G1, устанавливая последовательно частоты: 1кГц, 10кГц, 30 кГц, 50 кГц и зарисовать соответствующие осциллограммы с экрана осциллографа  для диода точечного типа (KD522A) и плоскостного типа (D223A).

Рисунок  7 – Схема исследования частотных свойств полупроводниковых диодов
 

3.  Обработка материалов измерений.

1. По данным измерений таблицы 1, 2 построить вольт-амперные характеристики исследуемых диодов.

2. Определить прямое  и обратное   дифференциальные сопротивления диодов. Порядок определения параметров показан на рисунке 2.

4.  Содержание отчета

1.  Титульный лист, оформленный по ГОСТ

2.  Содержание отчета.

3.  Краткие теоретические сведения по лабораторной работе.

4.  Принципиальные схемы для снятия статических характеристик диодов.

5.  Таблицы с данными измерений и осцилограммы.

6.  Графики вольт-амперных характеристик для каждого типа диода.

7.  Расчет дифференциальных сопротивлений диодов для прямой и обратной ветви характеристики.

8.  Выводы по каждому пункту работы

Скачать файл