Исследование полупроводниковых диодов: Методические указания для выполнения лабораторной работы № 1 по дисциплине "Электроника", страница 2

Используемая в работе лабораторная установка, состоит из двух модулей: базового  и лабораторного.

Включение установки производится нажатием выключателя, расположенного на базовом модуле  в верхнем левом углу в положение «вкл».

Подготовка установки к работе производится в следующем порядке:

На базовом модуле:

1. Собрать схемы измерений в соответствии с рисунком 3 (4).

2.  Включить мультиметр 1.

3.  Вольтметр 1 переключить в режим измерения постоянного тока – U_.

4.  Включить генератор низкой частоты.

5.  Переключить генератор низкой частоты в режим генерирования синусоидальных импульсов.

6.  Включить источник напряжения Е.

7.  На источнике напряжения Е нажать кнопку 100 мА.

На лабораторном модуле:

1.  На источнике напряжения Е установить выключателем предел 1В.

2.  На генераторе НЧ установить аттенюатор в положение 1:100.

2.1.  Снятие прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.

Схема исследования диодов показана на рисунке 3.

На диод должно подаваться прямое смещения от источника питания.

 

Изменяя напряжение источника питания Е снять прямую ветвь статической характеристики диода. При снятии характеристик диодов, обязательно отметить значения напряжений U_пор  при котором наблюдается резкое увеличение тока.

Результаты внести в  таблицу 1. Шаг измерений приведен в таблице.

Таблица 1

Тип диода:  плоскостной – Д223А (точечный – КД552А)
U, В	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1,0
I, мА

Аналогично выполнить измерения для точечного  диода (Д104А) и внести их в таблицу 1.

3.2. Снятие обратной ветви вольт-амперной характеристики диода.

Для исследования обратной ветви статической характеристики необходимо собрать схему, показанную на рисунке 4 на диод надо подать обратное смещение от источника питания (рисунок 4).

 

Установить предел  для  источника напряжения Е равным 10В. Изменяя напряжение источника снять обратную ветвь вольт-амперной характеристики диода. Шаг измерений приведен в таблице 2.

Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2.

Тип диода: плоскостной – Д223А (точечный – KД522А)
	шаг измерений 0, 02В			шаг измерений 0, 1В			шаг измерений  1В
U, В	0	…….	0,2	0,2	…..	1	1	…..	10
I, мА

Аналогично выполнить измерения для точечного  диода (KД522А) и внести их в таблицу 2.

3.3.  Исследование частотных свойств диодов.

Собрать схему, показанную на рисунке 4.

 

R1=100 Ом, R2 = 1000 Ом.

Изменяя частоту генератора НЧ зарисовать осцилограммы при частотах 1кГц, 10кГц, 30 кГц, 50 кГц, для каждого типа диода.

4. Выполнение лабораторной работы на ПК