Исследование полупроводниковых диодов: Методические указания для выполнения лабораторной работы № 1 по дисциплине "Электроника"

Страницы работы

Содержание работы

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Лабораторная работа №1

1.  Цель и содержание работы

Целью работы является исследование  свойств полупроводниковых диодов плоскостного и точечного типов. В работе снимаются вольтамперные характеристики  и определяются параметры диодов в широком диапазоне частот.

2.  Краткие сведения из теории

Работа полупроводниковых диодов основана на свойствах p-n перехода, который образуется на границе раздела областей полупроводника с дырочной  (р) и электронной проводимостью (n). Концентрация электронов в n – области значительно больше, чем в р - области, а дырок в р - области больше, чем в n - области. Неодинаковая плотность частиц вызывает диффузию основных носителей из областей с большей концентрацией: электронов из n – области и дырок из p – области. В результате рекомбинации на границе р- и n – областей возникает обедненный носителями слой,  который называется запирающим (рисунок 1, а). Ионы донорной и акцепторной примеси в области запирающего слоя создают электрическое поле с напряженностью  ЕВН, которое препятствует дальнейшей диффузии основных носителей и создает дрейфовый ток, обусловленный неосновными носителями.

 


При подключении источника э.д.с. к n-р переходу в зависимости от направления вектора напряженности источника ЕИСТИСТ( )) ширина запирающего слоя может:

-  уменьшаться - векторы напряженности источника и запирающего слоя противоположны, что приводит к увеличению диффузионного тока;

-  увеличиваться -  векторы напряженности источника и запирающего слоя направлены в одну сторону, что приводит к уменьшению диффузионных токов практически до нуля и увеличению дрейфового тока.

Перечисленные свойства р- n перехода используются в полупроводниковых диодах.

Полупроводниковым диодом называется прибор с одним р – n переходом и двумя выводами, позволяющими включать его во внешнюю электрическую цепь. Полупроводниковые диоды имеют несимметричные электронно-дырочные переходы. Одна область полупроводника с более высокой концентрацией примесей (высоколегированная область) служит эмиттером, а другая  с меньшей концентрацией примесей (низколегированная область) – базой.

Вывод, который подключает эмиттер к внешней электрической цепи, называется катодным, а вывод, который подключается к базе – анодным (Рисунок 1, б).

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в ток одного направления.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового  диода показана на рисунке 2.

 


Вольт- амперная характеристика имеет прямую («1»  на рисунке 2) и обратную («2»  на рисунке 2) ветви. 

При включении диода в прямом направлении (прямая ветвь ВАХ) вектор напряженности внешнего источника EИСТ направлен противоположно вектору напряженности р-n  перехода диода, положительный полюс источника ЕИСТ подключен к аноду диода, а отрицательный полюс ЕИСТ к катоду диода. При этом суммарный вектор напряженности уменьшается. Это приводит к уменьшению потенциального барьера в n - p переходе.

В этом режиме часть основных носителей заряда с наибольшими значениями энергии будет преодолевать понизившийся потенциальный барьер и проходить через р-n-переход. В переходе нарушится равновесное состояние, и через него потечет диффузионный ток обусловленный инжекцией электронов из n-области в р-полупроводник и дырок – из р-области в n-полупроводник.

Напряжение Uпор, начиная с которого малые приращения прямого напряжения вызывают резкое увеличение тока,  называют пороговым (рисунок 2).

При включении диода в обратном направлении (обратная ветвь ВАХ) направление вектора напряженности внешнего источника ЕИСТ совпадает с вектором напряженности поля перехода: отрицательный полюс источника ЕИСТ соединен катодом диода, а положительный полюс источника  ЕИСТ соединен с анодом диода. Такое включение диода приводит к увеличению потенциального барьера р-n перехода диода и ток через переход будет определяться неосновными носителями заряда:  электронами из р – области в n – область и дырками из n – области в р-область. Этот процесс называется экстракцией неосновных носителей, а ток, протекающий через диод, называют обратным током  I0бр.

При дальнейшем увеличении обратного напряжения, приложенного к диоду, при некотором значении Uобр1 в нем будет происходить резкий рост обратного тока – участок  "3"  на рисунке 2. Это явление называется пробоем. Различают электрический и тепловой пробой р – n перехода. Лавинный пробой – это электрический пробой перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля. Электроны, ускорившись в поле запирающего слоя, выбивают из атомов полупроводника валентные электроны, которые, в свою очередь, успевают ускориться и выбить новые электроны, и т.д. Процесс развивается лавинообразно и сопровождается быстрым нарастанием обратного тока. 

Тепловой пробой возникает из-за перегрева р-n перехода или отдельного его участка (участок «4» на рисунке 2). При этом происходит интенсивная генерация пар электрон – дырка и увеличивается обратный ток, что приводит к увеличению мощности, выделяющейся в р-n переходе и дальнейшему его разогреву. Этот процесс также лавинообразный, завершается расплавлением перегретого участка перехода и выходом диода из строя.

В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего р – n  перехода полупроводниковые диоды делятся на два класса: точечные и плоскостные.

Точечные диоды имеют малую емкость р-n - перехода (обычно менее 1пФ) и применяются для выпрямления переменного тока любых частот вплоть до СВЧ. В плоскостных диодах емкость р-n-перехода составляет несколько десятков пФ. Различие в собственных емкостях Ссоб полупроводниковых диодов сказывается на их работе: с увеличением частоты внешнего источника Е, приложенного к диоду, сопротивление собственной емкости  уменьшается и обратный ток  Iобр возрастает, что приводит к тому, что диод теряет свойство односторонней проводимости. Поэтому на частотах свыше 50 кГц применяют главным образом точечные полупроводниковые диоды.

3.  Порядок выполнения работы на лабораторном стенде.

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Методические указания и пособия
Размер файла:
94 Kb
Скачали:
0