Электротехника \ Моделирование элементов и узлов радиоэлектронных средств

Моделирование элементов и узлов РЭС: Программа учебной дисциплины и методические указания к выполнению контрольной работы, страница 17

Расчеты усилителей проводятся в соответствии с методикой, приведенной в выше. При расчете резонансных усилителей используются те же параметры, что и для апериодических.

Приложение Е

(справочное)

Параметры колебательных контуров и транзисторов

Таблица Е.1 – Минимальные достижимые затухания контуров и коэффициенты шунтирования в зависимости от частоты и типа транзистора

Диапазон частот, МГц

Минимальное собственное затухание контура, d0МИН

Коэффициент шунтирования, kш

для полевых транзисторов

для биполярных транзисторов

до 0,1

0,1000…0,0200

1

1,4…1,6

0,1…0,2

0,0060…0,0100

1

1,5…1,7

0,2…0,4

0,0040…0,0060

1

1,6…1,8

0,4…0,6

0,0030…0,0040

1

1,7…1,9

0,6…1,0

0,0030…0,0040

1

1,8…2,0

1,0…5,0

0,0040…0,0050

1

2,0…2,2

5,0…30,0

0,0050…0,0060

1,1

2,2…2,5

30,0…300,0

0,0060…0,0100

1,2

2,5…3,0

300,0…1000,0

0,0003…0,0040

1,3

5…10,0

Таблица Е.2 – Основные характеристики колебательных контуров и систем

Тип селективной системы

Параметр

Число систем n

1

2

3

4

5

6

Резонансные

Контуры

КП10

КП100

КП1000

y1(n)

q1(n)

10

100

1000

1,0

2,22

4,8

16

49

1,56

1,64

3,75

9

20

1,96

1,34

3,4

7

13

2,3

1,21

3,2

6,1

10

2,58

1,18

3,1

5,6

8,6

2,89

1,13

Расстроенные пары контуров при критической расстройке

КП10

КП100

КП1000

y2(n)

q2(n)

3,2

10

32

0,71

6,76

2,2

4,0

7,0

0,88

6,80

1,95

3,0

4,4

0,98

7,3

Два связанных контура при критической связи

КП10

КП100

КП1000

y3(n)

q3(n)

3,2

10

32

0,71

2,06

2,2

4,0

7,0

0,88

1,98

1,95

3,0

4,4

0,98

1,89

1,85

2,7

3,6

1,09

1,73

1,78

2,5

3,2

1,16

1,69

1,76

2,4

3,0

1,22

1,68

Смешанная схема при предельной связи в связанных контурах

КП10

КП100

КП1000

y4(n)

q4(n)

2,15

4,64

10,0

0,5

3,1

1,67

2,5

3,67

0,58

3,2

1,55

2,2

2,87

0,63

3,3
Скачать файл