Действия полупроводников, усилителей, цифровых и преобразовательных устройств, логических схем, страница 6

Преимущества.

1.  Технологичность в производстве.

2.  Хорошая воспроизводимость параметров.

3.  Стоимость.

4.  Высокое входное сопротивление.

Транзисторы с затвором p-n перехода.

Рис.39.  Конструкция транзистора с p-n переходом

Устройство транзистора:

1- p-n – затвор

2- токопроводящий канал

3- сток

4- исток

Канал с “n” переходом.

Рис.40 Канал с “n”переходом.

Канал с “p” переходом.

Рис.41. Канал с “р” переходом

Принцип дейcтвия:

1. Uсн=0,  Uзн ¹ 0   p-n  устремляется во внутренние зоны.

2. Uзн =0 , Uсн ¹ 0.

Статистические характеристики транзисторов.

1.  Стоковые.

h- параметры имеют связь с физическими параметрами.

h 21( Э ) ; h21 (Б ).

(общий эмиттер), (общая база ).

Как определит h- параметр?

1)  с помощью справочника.

2)  опытным путем.

Использование h- параметра.

                                                    

                  

 Параметры большего сигнала.

Заменить параметры малого сигнала на параметры большого ни в коем случае нельзя вследствие их несоответствия.

Предельные параметры.

Iк max; Uк max;

Iк0, Iк, Pк доп. - мощность рассеивания.

t-предельная температура.

h21 э min – коэффициент усиления « Iк max.

Частотные.

Определение параметров транзисторов.

1.  Мало сигнальные (в справочной литературе, опытным путем ).

2.  Большого сигнала (опытным путем).

3.  Предельные.

Типы биполярных транзисторов.

1.  Материалы и геометрия тетродов.

1.1.  Кремневые.

1.2.  Германиевые.

1.3.  Точечные.

1.4.  Плоскостные.

2.  По технологии изготовления.

2.1.  Сплавные.

2.2.  Диффузионные.

2.3.  Диффузионно-сплавные.

2.4.  Конверсионные.

2.5.  Эпитаксиальные.

2.6.  Планарные.

3.  По мощности.

3.1.  Транзистор малой мощности. ( Рк < 0,3 Вт).

3.1.1       Низкочастотный до 3 МГц.

3.1.2       Средней частоты 3¸30 МГц.

3.1.3       Высокой частоты 30¸300 МГц.

3.1.4       СВЧ > 300 МГц.

3.2.  Средней мощности. (0,3¸1,5 Вт).

3.3.Большой мощности > 1,5 Вт.

Рис.42. Выходные характеристики  транзистора.

Стоко-затворная ВАХ.

 

Рис.43. Стоко-затворная ВАХ

Основные параметры.

В отличие от биполярных невозможно предсказать в какую сторону будет изменяться температурная характеристика.

Схема замещения параметров.

1. 

Высокие частоты.

2. 

Низкие частоты.

Рис.44. Схема замещения параметров.

МДП транзистора.

1.  С индуцированным каналом.

2.  Со встроенным каналом.

Встроенный канал.

.Рис.45. Встроенный канал.

1 – изометор.

3– подложка.

4- потокопроводящий канал.

З - затвор.

2- изоляционный материал.

Графическое обозначение:

Рис. 46. Графическое изображение транзисторов.

Принцип действия.

Рис.47. Стоковая и стокозатрворная ВАХ.

Система обозначения полупроводниковых приборов.

1.  Материал.                              

2.  Тип прибора.

"Т” тиристоры:

малой и ср. мощности – У.                        Д – диод.

силовые – Т.                                                Ц – выпрямительный мост.

ТЧ – высокочастотные.                              С – стабилитрон.

ТИ – импульсный.                                      Т – транзистор биполярный.

ТБ – быстродействующий.                        П – транзистор униполярн..

ТЛ – Лавинный.                                          Н – динисторы.

ТВ – с водным охлаждением.                    Ф – фото.

ТС – симметричный.    

3.  Разновидность типа прибора.

Диоды выпрямительные от 101 – 399.

Диоды универсальные         401 – 499.

Диоды импульсные              501 – 599.

Транзисторы:

малой мощности     Рк. – НЧ   101 –199

                                           СЧ   201 – 299

                                           ВЧ   301 – 399