Действия полупроводников, усилителей, цифровых и преобразовательных устройств, логических схем, страница 4

Главным параметром прибора является напряжение стабилизации, равное напряжению пробоя.

Рис. 21. Вольт амперная характеристика стабилитрона.

Параметры.

Чем меньше Rдинам., тем лучше качество диода.

Температурный коэффициент нестабильности напряжения  (ТКН)=

Uст. < 5,4 В имеет отрицательный ТКН. Все остальные стабилитроны имеют положительный ТКН.

Тиристоры.

Динистор.

Рис. 22. Схема динистора.

Рис. 23. 

ВАХ динистора.

Параметры.

Uвкл.      Ia > Ia max.

Ia max     Iут.пр.

Iвыкл.- эти значения прямого тока, при котором прибор остается включенным.

Uобр. проб. не можем прикладывать к прибору.

U > чем  Uобр.проб.

Тринистор.

( полууправляемый тиристор).

Рис.24. Схема тринистора и ВАХ

Параметры:

1.  Статические.

1.1.    Силовая цепь.

         DUа, Uo, U_выроб. , Uвкл.

         Ia max, Iвкл, Iуд.

  Iут. п. , Iут. сбр.

         In- пред. ток при f= 50 Гц, который допустим для тиристора.

1.2.    Цепи управления.

Рис.25.

2.  Динамические параметры.

t_вкл., t_выкл.

t_вкл. – изменяется U на 10% c момента подачи импульса в управляющий электрод.

t_выкл. – время восстановления запирающих свойств тиристора.

Способы включения и выключения тиристора.

Выключение.

На некоторое время надо прервать ток для выключения тиристора.

1.  t_выкл.  

2.  U_обр. – p-n восстанавливает запирающие свойства.

Нагрузочная способность тиристора.

Определяется t° нагрева тиристора.

T°доп. =150°

DT £ T°доп. – Tс. – температура среды.

DТ – температура перегрева от протекающих токов,

Паспортные значения.

DТ=Р*Rt. –тепловое сопротивление.

Р=Ро + Рпут. + Роут. + Ру + Рком.,  Ро=Ia*DUa

Ро- мощность в анодной среде тиристора.

Рпут.- в прямом направлении мощность от тока утечки.

Роут. – в обратном.

Ру – мощность электрических потерь в цепи управления.

Рком. – мощность потерь в момент коммутации.

Классификация тиристоров.

1.  Динистор (вкл. только по Ua).

2.  Однонаправленный тринистор (полу управляемый).

3.  Лавинный тиристор.

4.  Симметричные (симистор) – не имеет явно выраженного анода и катода, в их роли могут выступить любые из электродов.

Частота до 50 Гц.

5.  Высокочастотные тиристоры.

t_раб. >50¸400Гц.

t_выкл., t_вкл.  меньше, чем у обычных тиристоров.

6.  Двухоперационные тиристоры.

По мощности.

2.1.    малой Ра: Ia доп. £ 0,3 А.

2.2.    средней Ра: Ia доп. < 10 А.

2.3.    Силовые  Ia доп.>10 А.

Схема обозначения:

Рис.26. Схемы обозначения тиристоров

Симметричный тиристор.

Рис. 27. Обозначения симметричных тиристоров.

4.  Двухоперационный тиристор.

Рис.28. Обозначения двухоперационных тиристоров.

Многопереходные полупроводниковые приборы.

(Транзисторы).

Используются 2 и более p-n переходов.

Транзисторы.

Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел широкое применение в схемах усиления.

Рис.29. Сплавная транзисторная структура типа p-n-p.

Толщина Б изменяется по длине св. пробега заряда от  Э базы к К-ой базе. Толщина должна быть меньше длины св. пробега.

1)  В эммитерную зону примесей больше, чем в коллекторной, в этом случае возникает разность потенциалов. Дрейфовые транзисторы.

2)  Примеси в базе могут равномерно располагаться, получаем бездрейфовые транзисторы. 

Технология изготовления.

Сплавные и диффузионные технологии.

Имеются и новые технологии: планарная (напыляется слой фосфора, затем слой серы, затем слой).

Обозначение транзисторов.

Рис.30. Обозначения транзисторов.

Принцип действия транзисторов p-n-p типа.

1. Е_э=0, Е_к¹0 ® I_э=0, I_к =I_к0

2. Е_э¹0, Е_к¹0 ® I_э>0

 I_э=I_к +I_б