Действия полупроводников, усилителей, цифровых и преобразовательных устройств, логических схем, страница 5

I_б=(1-5)% I_э

Рис. 31. Принцип действия транзисторов p-n-p типа

Схемы включения транзистора.

1. Схема с общей базой.

Схема включения зависит от того, какой электрод является общим у входной и выходной цепи.

Входная цепь Эммитер-База

Входной сигнал подается на U_эб

Рис.32. Схема включения транзистора с общей базой

2.  Схема с общим эмиттером.

Рис. 33. Схема включения транзистора с общим эммитером

3. Схема с общим коллектором.

Рис.34. Схема включения транзистора с общим коллектором

Статистические характеристики и полярные транзисторы.

1.  Входные характеристики.

2.  Выходные характеристики

3.  Проходные характеристики.

4.  Переходные характеристики.

Статические характеристики транзисторов с Общим Эмиттером.

1) Входная характеристика

Рис.35. Входная характеристика с ОЭ

2)Выходная характеристика

Рис.36. Выходная характеристика с ОЭ

Особенности характеристик схемы с общей базой.

1.  Входные характеристики.

2. 
Выходные характеристики.

Рис.37

Режим работы диполярных транзисторов.

1.  Режим усиления. ( режим работы – активный).

2.  Режим отсечки.

3.  Режим насыщения.

4.  Режим инверсии.

Рассмотрим подробнее вышеперечисленные режимы.

1.  Активный.

а) режим большой Uвх.

б) режим малого сигнала.

2.  Режим отсечки.

3.  Режим насыщения.

4.  Инверсный режим.

Uэ < 0, Uк > 0.

Применение режимов.

Режим малого сигнала применяется в первых каскадах усиления.

Режим большого сигнала соответствует каскадом усиления мощности.

Режимы 2,3- ключи ( режим ключевой ) транзистор заперт в режиме отсечки, открыт в режиме насыщения.

Инверсный режим применяется как регулятор источника сигнала.

Транзистор как 4-хполюсник.

Транзистор является нелинейным элемент. Однако если входной сигнал по амплитуде меньше по сравнению с постоянным напряжением, соответствующим точке покоя, то в некоторой области статических ВАХ связь между токами и напряжениями можно считать линейной с допустимой для практического применения степенью приближения.

Связь между входными (I₁,U₁)и выходными (I₂,U₂) переменными четырехполюсника можно описать шестью системами уравнений первого порядка.

Рис.38. Транзистор в виде четырехполюсника.

1)  “r”-параметры.

За независимые величины принимается первичный и вторичный ток.

I1; I2 – независимые величины.

U1=f ( I1; I2 ) , U2 = f ( I1; I2 ).

1)  “q”-параметры.

U1; U2 – независимые величины.

I2 = f ( I1; U2 )

U1 = f ( I1; U2 ).

2)  “h”-параметры.

Независимые величины  - первичный ток и вторичное напряжение.

I2  = f ( I1; U2 )

U1 = f ( I1; U2 ).

При малых изменениях независимых величин приращения зависимых величин разложить в ряд Тейлора и пренебречь членами второго и высших порядков, то эти уравнения примут вид:

При dU₂=0

h₂₁ – коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при коротком замыкании на выходе четырёхполюсника.

При dI₁=0.

h₁₁ - входное сопротивление в режиме малого сигнала при коротком замыкании на выходе четырехполюсника.

h₂₂ – входная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе на входе четырехполюсника. При I₁=0.

h₁₂- коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала при холостом ходе на входе четырехполюсника. При I₁=0.

Униполярные транзисторы.

Управляются они полем, отсюда называются полевыми транзисторами.

 Принцип работы полевого транзистора основан на использовании носителей заряда одного наименования, движение которых осуществляется через канал с изменяющейся посредством поперечного электрического поля проводимостью.

Различают транзисторы:

1.  С затвором в виде p-n.

2.  С изолированными затворами.

          2.1.    со встроенным каналом.

          2.2.    с изолированным каналом.