Комплексный расчет, анализ и моделирование многокаскадного усилителя, страница 6

   Ом.

(6)

8.Рассчитываем значения разделительных емкостей по входу СРВХ и выходу СРВЫХ, которые необходимы для предотвращения попадания постоянного тока смещения на предыдущий и последующий каскады. Из двух полученных значений выбираем наибольшее:

 Ф;

(7)

Ф;

(8)

 Ом.

(9)

9.Рассчитываем значения крутизны характеристики транзистора S0 и каскада в целом S, используя основное уравнение стокозатворной характеристики:

 А/В;

(10)

А/В.

(11)

         10.Рассчитываем значения коэффициентов усиления:

           ;

(12)

          .

(13)

1.4  Выбор и обоснование элементной базы

Выбор элементной базы сделан в соответствии с номинальным рядом Е96, имеющим 2% допуск. После электронного моделирования схемы в САПР EWB видим, что 2% допуск элементов полностью удовлетворяет заданной точности. Выбираем именно этот ряд потому, что он является сравнительно «дешевым» из номинальных рядов, удовлетворяющих нашему заданию.

Таблица 1.1 – Номинальные значения резисторов и конденсаторов          

Резисторы

Обозначение

Значение, кОм

Номинал в соответствии с рядом Е96

Допуск,%

ТКС, ´10-6

Модель

R1

25,500

25,000

±2

±500

ОМЛТ

R2

7,650

7,680

±2

±500

ОМЛТ

R3

0,186

0,187

±2

±500

ОМЛТ

R4

0,870

0,880

±2

±500

ОМЛТ

R5

1006,000

1000,00

±2

±500

ОМЛТ

R6

1,430

1,430

±2

±500

ОМЛТ

R7

21,900

22,100

±2

±500

ОМЛТ

Rn

7,000

7,150

±2

±500

ОМЛТ

Конденсаторы

Обозначение

Значение, мкФ

Номинал в соответствии с рядом Е96

   Допуск,%

ТКЕ

Модель

C1

4,50

4,53

±2

-220

К10-17

C2

30,30

30,10

±2

-220

К10-17

C3

5,00

5,11

±2

-220

К10-17

С4

100,00

100,00

±2

-220

К10-17