Полупроводниковые фотоприемники. Физические основы работы фотоприемников с одним р-п переходом, страница 3

Коэффициент собирания для тонкобазиых ФП, когда толщина базы w (толщина облучаемой области) много меньше диффузионной длины неосновных носителей L, т. е. wfL<^\, при условии однородного распределения концентрации примесей в базе является функцией параметров aw, sw/D и w/L, где D — коэффициент диффузии неосновных 'носителей. Параметр aw может быть интерпретирован как отношение толщины базы к средней глубине проникновения падающего излучения 1/а. Параметры sw/D и w/L характеризуют соответственно потери носителей вследствие поверхностной и объемной рекомбинации. Влияние поверхностной рекомбинации сказывается сильнее при больших коэффициентах поглощения света. При (Ш> 1 и при sw/D^> 1 коэффициент собирания убывает обратно пропорционально скорости рекомбинации.

Однородное распределение концентрации примеси в базе ФП на практике реализуется в оллавных ФП (германиевых и кремниевых). К 'нему приближается распределение примеси для диффузионных ФП, когда в легированном слое имеет место ступенчатый характер распределения с участком постоянной поверхностной концентрации (рис. 2,а). Подобный характер распределения концентраций описан в литературе (19, 20] для тонких диффузионных слоев в р-и /г-кремнии. Такой вид кривых распределения обусловлен зависимостью скорости диффузии бора и фосфора © кремнии от концентра-

7

Ции примеси. Для ФП с однородной базой трудно получить высокий коэффициент собирания, особенно в коротковолновой области спектра, во-первых, из-за трудности изготовления мелких переходов (для сплавных ФП) и, во-вторых, из-за больших потерь в результате поверхностной и объемной рекомбинации (для диффузионных ФП). Например, для диффузионных ФП с базой 0,5 мкм коэффициент собирания составляет 0,1 при >и = 0,4 мкм.

р-п структура  фотоприемника  с  неоднородным  распределением примеси в одной из областей.   При   наличии   в базе   ФП   градиента

см~3

102

Ю

20

W

10й

L-^tf

\

п

У2

\

\

«;

10

15    мкм

р-область      п-область б)

см

п20

W1

10й 10п

см

hsj/

\ \\

V N

V

3

\\

А____

А^

б)

10

10 Ю18

10й

10ь

ю1

1 N

ш=0,7мг

'М

w = 0fi

мкм \

\х

0,2

OJi

06 мкм

Рис. 2. Распределение концентрации примеси в базе ФП. а — ступенчатое распределение примеси: / — для ФП с толщиной базы 12 мкм,

2 для   ФП   с  толщиной   базы   17   мкм;   б — экспоненциальное  распределение примеси; в — распределения примеси в базе ФП, полученные в процессе диффузии. /, 2 — теоретические кривые распределения вида

"=*о«р|ая-|;

— теоретическая кривая распределения вида

W=W0erfc

\2 Ушу

г — распределения примеси в базе ФП, полученные в процессе ионно-лучевого метода легирования.

концентрации примесей возникает внутреннее электрическое поле, пропорциональное градиенту концентрации:

_ JL      1dN(x) Е==q     N(x)     dx     '(3)

где N(x)—концентрация акцепторов; dN(x)/dx— градиент концентрации примеси в точке х. Это поле ускоряет диффузионное движение носителей к р-п переходу, что увеличивает число разделяемых р-п переходом носителей, а следовательно, и коэффициент собирания по сравнению с его значением у ФП с однородной базой. Фото-приемники при наличии электрического поля в базе называются дрейфовыми. Для них коэффициент собирания при условии постоянного поля в базе /?-типа, когда кривая распределения акцепторной примеси предполагается экспоненциальной (рис. 2,6), определяется выражением

N = Nse-?x,(4)

здесь Ns — поверхностная концентрация акцепторов; р — постоянная, характеризующая крутизну экспоненты, является функцией параметров aw, sw/Dn, $w, где w — толщина базы /?-типа, Dn — коэффициент диффузии электронов в базе ФП.

Безразмерный параметр рдо характеризует величину тянущего пиля в базе. Внутреннее тянущее поле увеличивает коэффициент собирания, однако для небольших значений aw, т. е. для глубоко проникающего излучения, влияние поля на коэффициент собирания мало, так как в этом случае р-слой становится почти прозрачным для излучения и в базе создается очень мало неосновных носителей. В случае сильно поглощаемого излучения (при больших значениях aw) большинство фотонов поглощается в базе ip-типа; в результате этого в ней создается много неосновных носителей и, следовательно, влияние внутреннего поля становится более ощутимым. С увеличением скорости поверхностной рекомбинации (с увеличением параметра swfD) коэффициент собирания уменьшается, так как много неосновных носителей будет теряться на поверхности и не достигнет перехода. Для очень больших значений aw большинство фотонов поглощается в очень тонком приповерхностном слое и, таким образом, большинство неосновных носителей теряется из-за поверхностной рекомбинации и не создает фототока. С увеличением внутреннего поля этот эффект частично компенсируется. При достаточно больших электрических полях, когда безразмерный параметр |3ш^>10 и скорость поверхностной рекомбинации мала, можно получить для дрейфового ФП в коротковолновой области спектра предельные, теоретически возможные значения коэффициента собирания.

Рассмотренная модель дрейфового ФП с постоянным полем является идеализированной, так как практически получить экспоненциальный профиль распределения примеси в реальных ФП не представляется возможным. На современном уровне технологии изготовления полупроводниковых приборов в легированном слое получают профили: гауссовский и в виде функции ошибок (рис. 2,в), зависящие от поверхностной концентрации примеси (N0), расстояния от поверхности (х), коэффициента диффузии (D) и времени диффузии (t). Такие профили получают в процессе ионно-лучевого (рис. 2,г)   и диффузионного методов диффузии   (рис. 2,в),