Полупроводниковые фотоприемники. Физические основы работы фотоприемников с одним р-п переходом, страница 10

Вольт-амперная характеристика ФП представляет собой зависимость тока через прибор от величины приложенного к нему электрического напряжения. Различают вольт-амперную характеристику тем-новую и освещенного ФП. Знание темновой вольт-амперной характеристики важно для оценки работы ФП как в фотовольтаическом (ФПВ), так и в диодном режимах (ФД). Разные режимы работы ФП определяют соответствующие требования к вольт-амперной характеристике приборов. Для преобразователей солнечной энергии в электрическую (ФЭП)1 высокий к. п. д определяется крутизной прямой ветви вольт-амперной характеристики [28]. Выражение для темнового тока можно записать в виде

1==10(<еяи/Акт_1))

(15) /о — ток насыщения;

через   р-п   переход

где / — ток, пропускаемый через р-п переход; А— параметр, характеризующий р-п переход.

Параметр А определяется пр,иродой тока и может быть равным 1—3. Для кремниевых ФЭП этот параметр лежит в интервале от 2 до 3. Ток насыщения, в основном, изменяется в пределах Ю-5—Ю-7 А/см2, что превышает величину, определяемую теоретически. С увеличением температуры от —70 до 0°С

1 Фотоприемник, предназначенный для преобразования солнечной или лучистой энергии любого другого излучателя в электрическую, используемый как генератор электрической мощности, в дальнейшем будет называться фотоэлектрическим преобразователем (ФЭП).

22

ток насыщения кремниевых приборов изменяется незначительно, в области же положительных температур резко возрастает. Параметр А с уменьшением температуры увеличивается. Для ФЭП на основе GaAs при том же параметре А~2 величина тока /0 лежит в пределах 10~9—5 • 10~10 А/см2, т. е. Ma/rMZ в достаточной мере соответствует теории. Мп/ип Разница  в  величинах тока  насыще-          II

ния на несколько порядков для GaAs и Si ФЭП оказывает влияние на характеристики этих приборов при работе в фо-товольтаическом режиме. На рис. ^приведены вольт-амперные характеристики ФЭП из GaAs и Si при Г=300 К и освещении приборов лучистым потоком мощностью 800 Вт/м2 Из сравнения характеристик видна следующая особенность элементов: напряжение холостого хода Ux х для приборов из GaAs при комнатной температуре в 1,6—1,7 раза превышает значение Ux х для кремниевых элементов, хотя ширина запрещенной зоны A£g(GaAs) примерно лишь в 1,25 раза больше AEg(Si) при той же температуре Величина Ux х может быть выражена через    фототок    /ф,    ток    насыщения    /0    и    параметр    А

Ь\Клд=Що

ВоП$, к.а&=°13%

0   200 W0 600800 мВ

Рис.   13.  Вольт-амперные

характеристики   ФЭП из

GaAs и Si.

Ux

AkT

-In

(■£+■)■

(16)

Меньший на несколько порядков ток насыщения /0 обусловливает дополнительное увеличение напряжения холостого хода Ux хдля ФЭП на основе GaAs.

Эксплуатационными параметрами ФЭП являются: напряжение холостого хода Ux х, ток короткого замыкания /к.з и к. п. д. для максимальной мощности. Значение фототока короткого замыкания ФЭП определяется соотношением

^к.з —

SW

1 +

_Rn_ RP-n

(17)

где S — интегральная чувствительность ФЭП; W—мощность потока лучистой энергии.

Сопротивление р-n перехода зависит от энергетической освещенности. При малых лучистых потоках Rp-n^>Rn и IK3=SW, т. е. ток короткого замыкания линейно зависит от W С увеличением лучистого потока, падающего на ФЭП, RP-n уменьшается и соотношение (17) станет нелинейным. Низкое Rn позволяет сохранить неравенство до более высоких значений W.

Максимальная мощность ФЭП численно равна площади наибольшего прямоугольника, который вписывается в вольт-амперную характеристику. Вообще, чем ближе форма вольт-амперной характеристики к прямоугольной, тем больше к. п. д. При этом оптимальным сопротивлением нагрузки  ФЭП  является нагрузка,  на ко-

23

торой выделяется максимальная мощность ФЭП Отношение максимальной мощности ФЭП к произведению Ux х/к 3 называется коэффициентом заполнения вольт-амперной характеристики ФЭП. Напряжение холостого хода линейно уменьшается с повышением температуры, в то время как ток короткого замыкания линейно •возрастает (рис. 14) {27]. Изменение напряжения холостого хода может  быть  объяснено  быстрым  увеличением  тока  насыщения  при

I-------1-------1--------1____L___I____J____!___J____I____I____i       i      i      i      i    ~1

"С  -60       -40      -20020W6080

Рис.  14. Зависимость напряжения холостого хода и тока короткого замыкания  кремниевого  ФЭП  от температуры.

повышении температуры. Экспериментальные значения изменения напряжения холостого хода составляют 1,9—2,5 мВ/°С и несколько меняются от элемента к элементу, но постоянны для каждого прибора в большом интервале освещенностей и температур. Изменения тока короткого замыкания обусловлены теми же причинами, что и для спектральных характеристик. Относительное изменение тока короткого замыкания А/ф/(/фАГ) также представляет собой постоянную величину, равную (1,5-^3) • 10~3°С-1, несколько меняющуюся от элемента к элементу. Абсолютное изменение тока короткого замыкания составляет 2-10-5 А/см2°С. Однако ток короткого замыкания с температурой увеличивается медленнее, чем падает Ux х, и это приводит к тому, что отдаваемая мощность имеет отрицательную температурную зависимость.

Для ФД важно знание обратной ветви вольт-амперной характеристики. Величина обратного темпового тока определяет порог чувствительности фотодиода. Чем меньше величина обратного темнового тока, тем выше порог чувствительности и тем эффективнее фотодиод, особенно при низких освещемшетях.

Как следует из элементарной теории р-п перехода, обратный темновой ток через р-п переход вызван диффузией неосновных носителей из р- и я-областей и равен току насыщения /0. В соответствии с теорией ток насыщения /0 должен быть очень мал (примерно 10-10 А/см2) и не должен зависеть от напряжения. Экспериментально подобный характер изменения темнового тока наблюдается для германиевых ФД. Для кремниевых ФД экспериментальные значения тока и зависимость его от температуры и напряжения несколько отличаются от теоретических. Зависимость обратного тока от напряжения можно получить, если предположить, что е области объемного заряда имеются центры генерации носителей, которые дают дополнительное увеличение обратного тока и поток которых определяет плотность тока генерации /ген. Величина тока генерации