Преимущество данной системы в отличие от систем, применяющих обычное электрическое освещение и считывание прямого отра-
59
женного излучения от специальной ленты, наклеенной на упаковку, заключается в смягчении требований к точности центровки упакованных деталей и допуску на расстояние между приемопередатчиком и керпусом.
Кремниевые ФП в видиконах. Еще одни пример применения ФИ— использование их в видиконах. В видикопе фирмы Техас Инструмент (рис. 42) использованы кремниевые ФП (запоминающие элементы) и электронно-лучевое сканирование. Отличие прибора от видикона обычной конструкции состоит в том, что вместо светочув-
Рис. 42. Схема видикока с кремниевым ФП.
/ — фотодиодная матрица (мишень); 2 — золотой контакт; 3 — пружинные зажимы, 4 — стеклянная лицевая поверхность; 5 — фокусирующая катушка; 6 — горизонтально и вертикально отклоняющие пластины; 7 — опорное кольцо-' 8, 9 — катод; 10 — управляющая сетка; // — видеоусилитель; 12 — исходный кремний; 13 — просветляющее покрытие; 14— локальные области с противоположной исходному кремнию типом проводимости; 15 — запорный слой; 16 — полупроводящее или диэлектрическое покрытие участков исходного кремния на стороне, обращенной к коммутирующему лучу.
ствительного материала, напыляемого на переднюю поверхность трубки, на нее механически укрепляют кремниевую ФП матрицу-мишень. Последняя представляет собой тонкий диск из монокристаллического кремния. Сторона, освещаемая светом, имеет просветляющее покрытие. По краю диска нанесен кольцевой контакт. На стороне, обращенной к электронному лучу, созданы участки с противоположной проводимостью, образующие матричную р-n фотоструктуру. Размеры отдельной ячейки таковы, что электронный луч одновременно перекрывает ^ несколько элементов. Роль накопительной емкости играет запорный слой. Такие приборы по сравнению с обычными видикона-ми более устойчивы при высоких температурах к электронной бомбардировке, имеют меньшее запаздывание и размывание изображения, лишены усталостных явлений.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводни ках. Физматгиз, М., 1963, 496 с.
2. Вавилов В. С. Солнечные батареи. — «Атомная энергия» 1956, вып. 3, с. 107.
3. Тучкевич В. М., Челноков В. Е. Кремниевые фотодиоды. — «Труды совещания фотоэлектрических и оптических явлений в полупроводниках». Киев, Изд во АН УССР, 1959.
4. Фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии из р-кремния.— «Журнал технической физики», 1956, т. 26, вып. 10, стр. 2396. Авторы: Ю. П. Маслаковец, Г. Б. Дубровский, С. А. Полтинников, В. К. Субашиев.
5. Наследов Д. Н., Царенков Б. В. Спектральные характеристики GaAs фотоэлементов. — «Физика твердого тела», 1959, т. 1, № 9. с. 1467.
6. Субашиев В. К., Соминский М. С. Полупроводниковые фотоэлементы.— «Полупроводники в науке -и технике». М., Изд-во АН СССР, 1959, с. 659.
7. Васильев А. М., Ландсман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М., «Советское радио», 1971, 248 с.
8. Тришенков М. А., Фример А. И. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р-п переходами. — «Полупроводниковые приборы и их применение». М., «Советское радио», 1971, вып. 25. с. 159.
9. Туркулец В. И., Удалов Н. П. Фотодиоды и фототриоды. М., Госэнергоиздат, 1962, 64 с
10. Лидоренко Н. С. Исследования по прямому преобразованию солнечной энергии в электрическую. — «Гелиотехника», 1967, № 5, с. 20—31.
11. Якушенков Ю. Г. Основы теории расчета оптико-электронных приборов. М., «Советское радио», 1971, 336 с.
12. Литвак В. И. Фотоэлектрические датчики в системах контроля, управления и регулирования. М., «Наука», 1966, 410 с.
13. Мироненко А. Ф. Фотоэлектрические измерительные системы. М., «Энергия», 1967, 360 с.
14. Катыс Г. П. Оптико-электронная обработка информации. М., «Машиностроение», 1973, 447 с.
15. Адирович Э. И. Оптоэлектроника. — В кн.: Микроэлектроника. М., «Советское радио», 1967, вып. 1, с. 75—128.
16. Свечников С. В. Элементы оптоэлектроники. М., «Советское радио», 1971, 272 с.
17. Расчет фотоэлектрических цепей. М., «Энергия», 1967, 200 с. Авторы: С. Ф. Корндорф, А. М. Дубиковский, Н. С. Муромова, Н. И. Перова, Е. Я. Сурова.
61
18. Схема автоматики с фоточувствительными и излучающими полупроводниковыми приборами. М., «Энергия», 1972. Авторы: В. Г. Воронин, А. К. Гребнев, А. И. Кривоносов, В. И. Русланов.
19. Субашиев В. К., Ландсман А. П., Кухарский А. А. Распределение атомов фосфора при диффузии в кремний. — «Физика твердого тела», 1960, т. 2, № 11, с. 2703—2709.
20. Зайцева А. К., Глиберман А. Я. Исследование рапределения примесей в поверхностном слое фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии из кремния я-типа. — «Физика твердого тела», 1961, т. 3, № 8, с. 2377—2382.
21. Полупроводниковые фотоэлементы повышенной эффективности с тянущим полем в легированной области. — «Физика и техника полупроводников», 1974, т. 8, № 1, с. 119. Авторы: И. П. Гав-рилова, В. М. Евдокимов, М. М. Колтун, В. П. Матвеев, Е. С. Макарова.
22. Бузанова Л. К., Глиберман А. Я. Малоинерционные кремниевые фотоприемники. — «Доклады Всесоюзной конференции по использованию солнечной энергии», Ереван, 1969, секция С-1, с. 55—67.
23. Исследование высокоэффективных солнечных элементов из арсенида галлия и возможности их улучшения. — «Гелиотехника», 1967, № 2. Авторы: М. Б. Каган, А. П. Ландсман, Т. Л. Любашев-ская, Б. А Холев.
24. Колтун М. М., Ландсман А. П. Исследование отражения сильнолегированного арсенида галлия в широком спектральном интервале. — «Журнал прикладной спектроскопии», 1966, т. 5, № 6, с. 770—773.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.