| Математический маятник | Груз на пружине | Электрический контур | |
| Уравнение | 
 | 
 | 
 | 
| Циклическая | 
 | 
 | 
 | 
| Инерция | 
 | 
 | 
 | 
| Жесткость | 
 | 
 | 
 | 
В них одинаково описываются вынужденные и затухающие колебания, биения в связанных колебательных системах.
С другой стороны, одномерный фотонный кристалл представляет систему плоскопараллельных пластинок, каждая из которых представляет собой колебательный контур (резонатор Фабри-Перо) для световой волны, подобно тому, как струна – резонатор для поперечной упругой волны, а пустота внутри гитары – резонатор для продольной звуковой волны.
Вне стен физической лаборатории практически невозможно получить и исследовать фотонный кристалл. Напрашивается аналогия его с легко осуществимой цепочкой электрических колебательных контуров, которая образует фильтр в мегагерцовом диапазоне. Однако, оказывается очень трудно построить такой фильтр с несколькими запрещенными и разрешенными полосами.
Объясните принципиальное отличие колебаний в оптической пластинке от колебаний в электрическом контуре.
С какими особыми точками в спектре собственных частот двумерного фотонного кристалла (см. лекцию 15, рис. 15.1) связаны особенности в плотности фотонных состояний.
Получить зависимость нормированной плотности фотонных состояний  (см. лекцию 15) одномерного
фотонного кристалла от длины волны в интервале 300 – 700 нм:
 (см. лекцию 15) одномерного
фотонного кристалла от длины волны в интервале 300 – 700 нм:
а) Образец с числом слоев  , с толщиной слоев
, с толщиной слоев
 мкм,
 мкм,  мкм,
с показателями преломления
 мкм,
с показателями преломления  ,
,  ;
;
б) Число слоев в образце  , остальные
параметры те же, что и для случая а).
, остальные
параметры те же, что и для случая а).
в) Структура фотонного кристалла отличается от случая а) лишь появлением
в центре кристалла дефектного слоя с  мкм.
Сравнить плотности фотонных состояний, соответствующие дефектной моде и краям фотонной
запрещенной зоны.
 мкм.
Сравнить плотности фотонных состояний, соответствующие дефектной моде и краям фотонной
запрещенной зоны.
Чем обусловлена способность фотонных кристаллов изменять интенсивность излучения зондовых атомов, внедренных в периодическую решетку, в зависимости от частоты внедренного в кристалл диполя и положения его в решетке?
Получить зависимость плотности фотонных состояний ФК от длины волны.
Параметры структуры ФК отличаются от соответствующих параметров задачи 3.7.2
лишь изменением  на значение
 на значение  .
.
Показать, что в случае центросимметричных кристаллов нелинейность сред определяется в первом порядке кубической восприимчивостю (кубично-нелинейные среды).
Показать, что при учете кубической нелинейности волновое уравнение в одномерном фотонном кристалле может быть представлено в виде формулы (16.8) лекции 16.
Установить в какую сторону смещается запрещенная зона и дефектная мода в задаче 3.6.14 с увеличением интенсивности излучения, если при этом коэффициент преломления алмаза увеличится на 1%
Получить выражение для трансфер-матрицы (16.13) (лекция 16) модеифицированной для описания влияния керровской нелинейности на прохождение лазерного излучения в одноменых фотонных кристаллах.
Тензор диэлектрической проницаемости  холестерического
жидкого кристалла (или холестерика) определяется формулой
 холестерического
жидкого кристалла (или холестерика) определяется формулой
                                   .
.
где  ,
,  – диэлектрические проницаемости для
электрического поля соответственно параллельного и нормального единичному
вектору (
 – диэлектрические проницаемости для
электрического поля соответственно параллельного и нормального единичному
вектору ( , называемому директором), который
задает ориентацию молекул изменяющуюся с изменением
, называемому директором), который
задает ориентацию молекул изменяющуюся с изменением  по
спирали:
 по
спирали:
                                      ,
,
 ,
,  .
.
Пространственный период спирали директора  .
.
Определить связь между частотой и волновым вектором электромагнитной волны распространяющейся вдоль оси спирали холестерика.
В реальных холестерических жидких кристаллах различие между  и
 и  относительно
мало
 относительно
мало
                                               .                  (1)
.                  (1)
В этом случае формулу (17) (см. пример решения задачи 3.8.1) можно упростить
             ,                                                                (2)
,                                                                (2)
Распространению волны в положительном направлении оси  соответствуют положительные значения
корней этого уравнения. При
 соответствуют положительные значения
корней этого уравнения. При  это корни
 это корни
                  ,
,  .                                                               (3)
.                                                               (3)
Покажите, что в пределе  имеются
два решения, которые соответствуют право- и лево-циркулярной поляризованным
волнам, так как в этом случае
 имеются
два решения, которые соответствуют право- и лево-циркулярной поляризованным
волнам, так как в этом случае  или
 или  . При конечных
. При конечных  эти волны эллиптически поляризованы.
 эти волны эллиптически поляризованы.
Толщина пленки холестерического жидкого кристалла составляет 25  (
 ( –
шаг спирали). Параметры идеальной структуры пленки такие же, как в лекции 17:
 –
шаг спирали). Параметры идеальной структуры пленки такие же, как в лекции 17:  ,
,  ,
,
 нм. Дефектом структуры жидкого
кристалла является локально измененный шаг спирали. Используя полученную в
лекции формулу (17.8) для коэффициента отражения при нормальном падении света
на образец исследовать в области 400 – 600 нм
 нм. Дефектом структуры жидкого
кристалла является локально измененный шаг спирали. Используя полученную в
лекции формулу (17.8) для коэффициента отражения при нормальном падении света
на образец исследовать в области 400 – 600 нм
а) зависимость коэффициента отражения от длины волны  для идеального кристалла;
 для идеального кристалла;
б) зависимость коэффициента отражения света от холестерика от  в случае если шаг спирали в центре
пленки увеличен по сравнению с шагом идеальной структуры и равен 1,2
 в случае если шаг спирали в центре
пленки увеличен по сравнению с шагом идеальной структуры и равен 1,2  ;
;
в) зависимотсь коэффициента отражения от  для
холестерика с двумя одинаковыми дефектами структуры. Рассмотреть случаи, когда
расстояние между дефектами, симметрично расположенными относительно центра пленки
равно 13
 для
холестерика с двумя одинаковыми дефектами структуры. Рассмотреть случаи, когда
расстояние между дефектами, симметрично расположенными относительно центра пленки
равно 13  или 15
 или 15  .
.
г) Провести анализ полученных результатов в сравнении с результатами лекции 17 и решенной задачи 3.6.16.
При расчетах воспользоваться программой, приведенной при решении задачи 3.6.16 о спектре пропускания слоистой среды с дефектами структуры, адаптировав ее для своих целей.
Если в разложении (2.32) частоты  в
окрестности
в
окрестности  можно пренебречь
членами второго и высшего порядков, то огибающая лазерного импульса сохраняет
свою форму. Рассмотрите случай, когда член второго порядка не является малым и
его необходимо учитывать, в то время как членами высшего порядка можно
пренебречь:
 можно пренебречь
членами второго и высшего порядков, то огибающая лазерного импульса сохраняет
свою форму. Рассмотрите случай, когда член второго порядка не является малым и
его необходимо учитывать, в то время как членами высшего порядка можно
пренебречь:
                                      ,         (1)
,         (1)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.