Промышленность \ Конструирование и производство типовых приборов и устройств

Узлы и блоки радиоэлектронной аппаратуры на микросхемах микросборки. Установка бескорпусных элементов и микросхем конструирование, страница 4

Тип

Габаритные размеры,

мм,

не более

мкм

Выводы

Расстояние от корпуса до места изгиба выгода, мм, не менее

1,0

l, мм, не ме-нее

Размер контактной площадки на коммутационной пленочной плате, мкм, не менее

Вариант установки

Масса, г, не более

Тонкопленочная технология

Толсто пленочная технология

Пайка

Сварка

Пайка ручным методом

Пайка автоматизированным методом

2Т364А-2Т364В

1,25

3,0

1,0

0,5

0,8

300

400

150

200

300

400

600

0,006

Транзисторы 2Т364А-2Т364В

Транзистор 2Т205А

Упрощенное изображение

(в плане)

Черт.7

Предельные отклонения размеров между двумя любыми контактными площадками мкм

Таблица 5

Тип	Габаритные размеры, мм, не более			d, мкм	Выводы				Вариант установки	Масса, г, не более
Тип	a	b	H	d, мкм	1	2	3	4	Вариант установки	Масса, г, не более
2Т2О5А	1,25	1,25	0,37	180	К	Э	К	Б	II	0,003

Транзисторы: 2ТЗЗЗА-2ТЗЗЗЕ, КТ348А-КТ348В, НТ359А-КТ359В

Упрощенное изображение

(в плане)

Диодные матрицы: 2Д912А, КД913А

Предельные отклонения размеров между двумя любыми контактными площадками мкм

Черт.8

Таблица 6

Тип	Габаритные размеры, мм, не более			d, мкм	Выводы				Размеры, мкм не менее			Вариант установки	Масса, г, не более
Тип	a	b	H	d, мкм	1	2	3	4	t	N	m	Вариант установки	Масса, г, не более
2ТЗЗЗА- 2ТЗЗЗЕ	0,75	0,75	0,34	180	Б	К2	Э	KI	350	200	200	II	0,010
КТ348А-КТ348В	0,75	0,75	0,34	80	Б	К2	Э	KI					0,010
КТ359А-КТ359В	0,75	0,75	0,34	180	Б	К2	Э	KI					0,010
2Д912А	0,75	0,75	0,34	250-I 180-2,3,4	Анод	-	-	-					0,010
КД913А	0,75	0,75	0,33	180	Об-щий	-	-	-					0,002

7. ВАРИАНТЫ УСТАНОВКИ ДИОДНЫХ МАТРИЦ, ДИОДНЫХ СБОРОК И СВЕТОДИОДОВ Диодные матрицы: 2Д9ЮА-2Д9ЮВ, 2Д9ПА, 2Д911Б

Упрощенное изображение (в плане)

Тип	Габаритные размеры, мм, не более a			d, мкм	Выводы				Расстояние от корпуса до места изгиба выгода, мм, не менее 1,0	l, мм, не ме-нее	Размер контактной площадки на коммутационной пленочной плате, мкм, не менее								Вариант установки	Масса, г, не более
											Тонкопленочная технология				Толсто пленочная технология
											Пайка		Сварка		Пайка ручным методом		Пайка автоматизированным методом
	a	b	H		1	2	3	4
											n	m	n	m	n	m	n	m
2Д91ОА-2Д910В	1,0	1,0	1,0	40	Анод	-	-	-	0,3	1,8	300	400	150	200	300	400	600	600	I	0,01
2Д911А-2Д911Б	1,0	1,0	1,0	40	Катод	-	-	-	0,3	0,8										-

Черт. 9

Таблица 7

диодные матрица: КД907Б, КД907Г, 2ДЭ18Б,2Д918Г

Упрошенное изображение

(в плане)

Черт. 10

Тип	Габаритные размеры, мм, не более a			d, мкм	Расстояние от корпуса до места изгиба выгода, мм, не менее 1,0	l, мм, не ме-нее	Размер контактной площадки на коммутационной пленочной плате, мкм, не менее								Вариант установки	Масса, г, не более
							Тонкопленочная технология				Толсто пленочная технология
							Пайка		Сварка		Пайка ручным методом		Пайка автоматизированным методом
	a	b	H
							n	m	n	m	n	m	n	m
2Д518Б 2Д918Г	1,15	1,15	1,0	60	1,0	0,8	300	400	300	400	300	400	600	600	I	0,005
КД907Б КД907Б	1,15	1,15			1,0											0,006

Таблица 8

Диодные матрицы: КД901А-КД901Г, 2Д904А-2Д904Е

Упрощенное изображение (в плане)

Черт. 11

Таблица 9

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Скачать файл