Исследование характеристик биполярных p-n-p–транзисторов

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА ЭЛЕКТРОНИКИ

ОТЧЁТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ № 2

ПО ТЕМЕ

“ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ”.

Выполнил студент группы № 851003                                            Проверил: преподаватель

А.                                                                                   

Минск, 1999

1. Для  исселедования характеристик биполярных p-n-p – транзисторов использовали схему с общей базой, представленную на рис.1.

Сняли семейство входных характеристик транзистора  Iэ=f(Uэб) при постоянном напряжении на коллекторе. Результаты свели в таблицу 1.

Таблица 1.

Uкб, В	0	5	10
Uэб,В	Iэ, мкА
0.1	0.12	0.18	0.22
0.12	0.19	0.4	1.5
0.2	0.45	1.5	4.36
0.24	1	4.6	8.8
0.28	2	8.8
0.3	3.32
0.34	4.77
0.36	6.4
0.4	8.73

Сняли семейство выходных характеристик транзистора при прямом и инверсном включении. Результаты свели в таблицы 2 и 3.

  Таблица 2 

Iэ,В	8.8	5.9	2.9
Uкб, В	Iк,мА
	Прямое включение
0	5.96	3.67	2
0.02	6	3.8	2.08
0.04	6	3.85	2.08
0.8	6.02	3.88	2.08
1.2	6.02	3.88	2.08
1.6	6.02	3.88	2.08

                  Таблица 3

Iк,В	8.8	5.9	2.9
Uэб, В	Iэ,мА
	Инверсное включение
0	4.8	3	1.4
0.02	4.8	3.05	1.46
0.04	4.89	3.05	1.49
0.8	4.89	3.05	1.52
1.2	5	3.08	1.52
1.6	5	3.12	1.52

По полученным данным построили характеристики транзистора (рис.2,3,4) и рассчитали h – параметры в точке Iэ = 5.87 и Uкб = 5В.

Рис.2.

                                                                                    Рис.3.

Рис.4                    

2.Для исследования характеристик биполярных  p-n-p - транзисторов использовали схему с общим эмиттером, представленную на рис.5.

Сняли семейство входных характеристик транзистора  Iб=f(Uбэ) при постоянном напряжении на коллекторе. Результаты свели в таблицу 4.

Таблица 4.

Uкэ,В	0	5	10
Uбэ,В	Iб,мА
0,04	0,02	0,01	0,01
0,08	0,06	0,02	0,02
0,1	0,1	0,025	0,022
0,12	0,14	0,04	0,025
0,14	0,28	0,06	0,027
0,2		0,19	0,18
0,22			0,28

Сняли семейство выходных характеристик транзистора  при прямом включении Iк=f(Uкэ). Результаты свели в таблицу 5.

                                                                                 Таблица 5

Iб,мА	0,28	0,19	0,09
Uкэ,В	Iк,мА
1	6	3,8	1,4
4	7,1	4,52	1,68
8	7,16	4,6	1,7

Сняли семейство выходных характеристик транзистора  в инверсном включении Iэ=f(Uэк). Результаты свели в таблицу 6.

Таблица 6

Iб,мА	0,28	0,19	0,09
Uэк,В	Iэ,мА
0,2	0,3	0,2	0,1
1	0,3	0,2	0,1
8	0,3	0,2	0,2

По полученным данным построили характеристики транзистора (рис.6,7,8) и рассчитали h – параметры в точке Iэ = 0,19 и Uкэ = 5В.

                                                                                                                                             Рис.6

                                                                                                                                      Рис.7

                                                                                                                                                      Рис.8