Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра «Микро- и нанотехнологии в аэрокосмическом приборостроении» № 35

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

На тему "Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии"

Студент _____________________________________(Ф. И. О.) гр_375___.

Дата выдачи_________________ Срок сдачи работы     15 декабря 2010 г.

Руководитель_____________________

Исходные данные:

Материал полупроводника – кремний, германий.

Начальное распределение примеси – равномерное с концентрацией N _ИСХ = 10     , см ^–3.

и вид примеси:  акцепторная,  донорная.

Параметры процесса диффузии:

            Материал вводимой примеси:             бор,     галий.    

      фосфор,  сурьма,   мышьяк.

            Температура процесса (900-1300 ⁰С):                     Т =                  ,⁰С;

            Вид процесса:  диффузия из постоянного источника;

                                      диффузия из бесконечно тонкого слоя.                                                          

            Глубина залегания p-n-перехода (1,0-8,0 мкм)                     h_p-n (x_p-n) =           , мкм.

Толщина защитной окисной пленки (0,5-1,0 мкм)              h _SiO2 =          , мкм.

Перечень разделов пояснительной записки:

1.Выбор вида источника и концентрации легирующей примеси, выбор схемы установки для процесса диффузии.

2.Расчет зависимости коэффициента  диффузии  легирующей примеси от температуры D(Т) (таблица и график вблизи заданной температуры).

3.Расчет распределения концентрации примеси по глубине  N(x,t)     (таблица и график, графики построить в линейном и полулогарифмическом масштабе).

4.Определение требуемого времени для формирования  p-n-перехода на заданной глубине (графическим и расчетным методом).

5.Выбор метода, схемы установки и определение параметров  процесса (температуры Т и времени t) нанесения пленки диоксида кремния заданной толщины (расчетным или графическим путем).

Материалы к КР:

Библиографический список

1. И.Г.Пичугин, Ю.М.Таиров. Технология полупроводниковых приборов: Учеб. пособие.                                                                                   М.: Высш. шк., 1984.  (с 179).

2. А.С.Березин, О.Р. Мочалкина. Технология и конструирование интегральных микросхем: Учеб. пособие.              М.: Радио и связь, 1983.  (с 18).

3. В.Н.Черняев. Технология производства интегральных микросхем: Учеб. пособие.   Энергия, 1977.  (с 104).

4. З.Ю.Готра. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991.  (с 149).

5. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы. Надежность. М., В.Ш., 1986.(с 200, 254).

6. Э.А Матсон, Д.В. Крыжановский. Справочное пособие по конструированию микросхем. Минск: Вышэйшая школа, 1982. (с 122).

7. Программа расчета процесса диффузии на ЭВМ.