Электротехника \ Электротехника

Элементы электрической схемы. Подбор электрических элементов. Габаритные и установочные размеры ЭРЭ

Страницы работы

12 страниц (Word-файл)

Посмотреть все страницы

Скачать файл

Фрагмент текста работы

ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ

VD1 – КД102А

VD2 – Д814Г

VD3 – Д223Б

VD4-VD7 – Д232

R1 – 1М

R2 – 100к

R3 – 430к

R4 – 10М

R5 – 10к

R6 – 43к

R7 – 43к

R8 – 43к

R9 – 820

R10 – 2к

C1 – 1000мк´15В

C2 – 100мк´15В

C3 – 1000

DD1 – К176ЛЕ5

VS1 – КУ202Н

VT1 – КТ315Г

ПОДБОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Поз. и обоз.	Наименование	Кол.	Примечание
	Резисторы
R1	СП3 – 3аМ – 0,05 – 1МОм	1
R2, R3, R6, R7, R9, R10	УЛИ – 0,125-500кОм	5
R4	КИМ – 0,125 – 10МОм	1
R5	БЛП – 0,5 – 10кОм	1
R8	ВС-2 – 43кОм	1
	Конденсаторы
С1	К50 – 24	1
С2	К50 – 6	1
С3	БМ - 2	1

ГАБАРИТНЫЕ И УСТАНОВОЧНЫЕ РАЗМЕРЫ ЭРЭ

Диоды

КД102А

ТТ 3.362.082 ТУ

D	L	S	t	Шаг сетки
				1,25	2,5
2,8	3,2	0,55	0,155	l
				22,5	22,5

Вариант формовки установки IIа

Д223Б

СМ 3.362.018 ТУ

D	L	d	d₁	Шаг сетки
				1,25	2,5
4	12	0,7	0,7	l
				20	20

Вариант формовки установки IIа

Д232

ТР 3.362.012 ТУ

D	D₁	L	L₁	d	d₁	Шаг сетки
						1,25	2,5
11,4	6,8	18	8,7	1	0,8	l
						27,5	27,5

Вариант формовки установки Iа

Конденсаторы

БМ – 2

ГОСТ 9687 – 73

Номинальная емкость 1000пФ

D	L	d	Шаг сетки
			1,25	2,5
5,5	20	0,9	l
			25	25

Вариант формовки установки IIа

К50 – 6

ОЖ 0.464.031 ТУ

Номинальная емкость 100мкФ

Номинальное напряжение 15В

D	L	d	Шаг сетки
			1,25	2,5
12	18,5	0,16	l
			5	5

Вариант формовки установки IIв

К50 – 24

ОЖО 0.464.137 ТУ

Номинальная емкость 1000мкФ

Номинальное напряжение 15В

D	L	d	Шаг сетки
			1,25	2,5
13	36	2	l
			40	40

Вариант формовки установки IIа

Микросхема К176ЛЕ5

ЩИ 0.487.012 ЧТУ

бКО.348.047 – 07 ТУ корпус 201.14 – 1

Предельные отклонения размеров между осями двух любых выводов ±0,2мм

Предельные отклонения размеров между осями двух любых монтажных отверстий ±0,1мм; для автоматизированных процессов сборки ±0,05мм

Вариант формовки установки VIIIа

Резисторы

БЛП – 0,5 – 10к

ОЖ 0.467.062 ТУ

D	L	S	B	Шаг сетки
				1,25		2,5
7,6	15,6	0,5	2,1	l	l₁	l	l₁
				22,5	17,5	22,5	17,5

Вариант формовки установки IIб

ВС – 2 – 43к

ГОСТ 6562 – 75

D	L	S	B	Шаг сетки
				1,25		2,5
9,7	48,4	0,5	2,6	l	l₁	l	l₁
				53,75	47,5	55	47,5

Вариант формовки установки IIб

УЛИ – 0,125 – 100к

УЛИ – 0,125 – 430к

УЛИ – 0,125 – 43к

УЛИ – 0,125 – 820

УЛИ – 0,125 – 2к

ОЖ 0.467.062 ТУ

D	L	S	B	Шаг сетки
				1,25		2,5
3,4	16	0,5	2	l	l₁	l	l₁
				21,25	15	22,5	15

Вариант формовки установки IIб

КИМ – 0,125 – 10М

ОЖ 0.467.060 ТУ

D	L	d	Шаг сетки
			1,25	2,5
1,8	3,8	0,4	l
			12,5	12,5

Вариант формовки установки IIа

Стабилитрон Д814Г

СМ 3.362.012 ТУ

D		D₁		L		L₁		d		d₁	Шаг сетки
											1,25	2,5
7	5		15		9		1,1		0,7		l
											25	25

Вариант формовки установки Iа

Транзистор КТ 315Г

ЖК 3.365.200 ТУ

H	L	B	t	S	Шаг сетки
					1,25	2,5
5	7,2	3	0,2	0,95	l
					2,5	2,5

Вариант формовки установки Iа

Обозначение выводов: 1 – эмиттер

2 – коллектор

3 - база

Тринистор КУ 202Н

ШП 3.369.003 ТУ

D	D₁	D₂	H	d

11,7	9	4±0,2	8	0,6

Вариант формовки установки IV

Обозначение выводов: 1 – электрод управляющий

2 – анод

3 – катод

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВЯЗИ СХЕМЫ

Земля : VD6(-)_VD5(-)_DD1(7)_R5(1)_VD2(-)_C2(-)_R10(1)_R6(1)_C1(-)_VS1(3)

Питание(+): VD7(+)_VD4(+)_R8(1)

Питание (-): VS1(2)

220В Х1: VD4(-)_VD5(+)

220B X2: VD7(-)_VD6(+)

1: R8(2)_VD3(-)_DD1(9)_R6(2)

2: VD3(+)_R5(2)_VD2(+)_C2(+)_R1(1)_DD1(14)_VD1(+)_R7(1)_VT1(k)

3: R1(2)_R2(1)

4: R2(2)_VD1(-)_R3(1)_C1(+)

5: R3(2)_DD1(2)_DD1(1)_R4(1)

6: DD1(3)_DD1(5)_DD1(6)

7: R4(2)_DD1(4)_DD1(8)

8: DD1(10)_C3(1)

9: C3(2)_DD1(13)_DD1(12)_R7(2)

10: DD1(11)_VT1(б)

11: VT1(э)_R9(1)

12: R9(2)_VS(1)_R10(2)

РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПП

Сопротивление проводника из однородного металла:

, где r=0,0175мкОм/м – удельное электрическое сопротивление проводника, гальваническая медь;

l=42,5мм – длина проводника;

b=0,001мм – ширина проводника;

h=50мкм – толщина проводника.

Эффективная глубина проникновения тока:

, где f=50Гц – частота;

y=0,5Ör=0,066 – коэффициент, зависящий от свойств токопроводящего материала и покрытия.

Толщина проводника 50мкм, ширина 0,3мм, сечение 0,015мм² плотность тока при t=10°C I=1.4А/мм

t=20°C I=1.7А/мм

t=30°C I=1.2А/мм

t=100°C I=3.72А/мм

При b₁ = b₂=0.003мм

Емкость:

ε=1 – диэлектрическая проницаемость среды;

l=15мм – длина проводника;

h=0,050мм – толщина проводника;

а=5мм – зазор между проводниками.

При b₁ = b₂=0.001мм а=7,5мм l=15мм

а=5мм l=15мм

a=2.5мм l=7,5мм

При b₁ ¹ b₂

b₁ =0.003мм b₂=0.001мм а=5мм l=25мм

L= L₁ +L₂-2M

Собственная индуктивность:

Взаимоиндуктивность:

L=17+17-2×1.25=31.5мкГн

Проводники расположены на одной прямой с малым зазором между их совпадающими концами:

l₁ =5мм l₂ =10мм а=2,5мм

Проводники расположены на значительном расстоянии l₁ =l₂ =5мм а=22,5мм

Проводники расположены параллельно на одной стороне ПП, различной длины:

l₁ =27,5мм l₂ =42,5мм а=7,5мм

l₁ =15мм l₂ =42,5мм а=5мм

М=145,7мкГн

РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОСТРУКЦИИ ПП

Определение минимального диаметра металлизированного переходного отверстия:

, где Н_рас =1,5мм – расчетная толщина платы

v=0.33 – отношение диаметра отверстия к толщине пластины

Номинальное значение диаметров монтажных отверстий Д₀ :

, где Д_выв – максимальный диаметр вывода устанавливаемого ЭРЭ

Δd_н.о. =0,1мм для Д_выв ≤1мм – нижнее предельное отклонение от номинального диаметра монтажного отверстия

Δd_н.о. =0,15мм для Д_выв >1мм

∆_з =0,3мм – разница между минимальным диаметром отверстия и максимальным диаметром вывода

Максимальный диаметр просверленного отверстия:

, где b_м =0.05мм – расстояние от края просверленного отверстия до края контактной площадки (гарантийный поясок)

d_d =0.05мм – допуск а расположение отверстий

d_р =0,15мм – допуск на расположение контактных площадок

Минимальный диаметр контактных площадок:

, где h_ч =0,05мм

Максимальный диаметр контактной площадки:

Д_выв	Д₀	Д_max	Д_1min	Д_min	Д_кп
0,4	0,8	1	1,5	1,575	1,615
0,5 0,55 0,7 0,6 0,7	1,1	1,3	1,8	1,875	1915
0,9 0,95 1 1	1,45	1,7	2,2	2,275	2,315
1,1	1,55	1,8	2,3	2,375	2,415
2	2,45	2,7	3,2	3,275	3,315

Минимальная ширина проводника:

, где ∆t=0.05мм – допуск на ширину проводника

t₁_min =0.15мм – минимальная эффективная ширина проводника

t_min =0,15+0,075+0,05=0,275мм

Максимальная ширина проводника:

t_max =t_min +(0,02…0,06)=0.275+0.04=0.315мм

Минимальное расстояние между двумя проводниками:

S_min1 =L –(t_max +2dl), где L=2.5мм – расстояние между проводниками

dl=0,03мм – допуск на расположение проводников

S_min =2,5-(0,315+2×0,03)=2,125

Минимальное расстояние для прокладки проводников в магистральном канале между краем платы и контактной площадкой металлизированного отверстия:

S_min2 =0.5Д_max +d_p +(S+t_max +dl)N+l_оп

S=0.15мм – номинальное расстояние между проводниками

N=0 – число проводников в магистральном канале

l_оп =5мм – расстояние от края платы до печатного проводника

S_min₂ =0.5×1.3+0.15+5=5,8мм

Метод изготовления ДПП – комбинированный позитивный.

Определяем минимальную ширину печатного проводника по постоянному току для цепей питания и заземления:

, где J_max =5А – максимальный ток протекающий в проводниках

Информация о работе

ВУЗ:

Балаковский институт техники, технологии и управления (БИТТУ)

Предмет:

Электротехника

Тип:

Конспекты лекций

Категория:

Электротехника (Технические предметы)

Размер файла:

176 Kb

Скачали:

Скачать файл

Элементы электрической схемы. Подбор электрических элементов. Габаритные и установочные размеры ЭРЭ

Страницы работы

Фрагмент текста работы

ПОДБОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Наименование

Резисторы

СП3 – 3аМ – 0,05 – 1МОм

УЛИ – 0,125-500кОм

КИМ – 0,125 – 10МОм

БЛП – 0,5 – 10кОм

ВС-2 – 43кОм

Конденсаторы

К50 – 24

К50 – 6

БМ - 2

ГАБАРИТНЫЕ И УСТАНОВОЧНЫЕ РАЗМЕРЫ ЭРЭ

Диоды

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВЯЗИ СХЕМЫ

РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПП

При b1 = b2=0.003мм

Похожие материалы

Информация о работе

При b₁ = b₂=0.003мм