Электротехника \ Электротехника

Элементы электрической схемы. Подбор электрических элементов. Габаритные и установочные размеры ЭРЭ

Страницы работы

12 страниц (Word-файл)
Скачать файл

Фрагмент текста работы

ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ

VD1 – КД102А

VD2 – Д814Г

VD3 – Д223Б

VD4-VD7 – Д232

R1 – 1М

R2 – 100к

R3 – 430к

R4 – 10М

R5 – 10к

R6 – 43к

R7 – 43к

R8 – 43к

R9 – 820

R10 – 2к

C1 – 1000мк´15В

C2 – 100мк´15В

C3 – 1000

DD1 – К176ЛЕ5

VS1 – КУ202Н

VT1 – КТ315Г


ПОДБОР ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Поз. и обоз.

Наименование

Кол.

Примечание

Резисторы

R1

СП3 – 3аМ – 0,05 – 1МОм

1

R2, R3, R6, R7, R9, R10

УЛИ – 0,125-500кОм

5

R4

КИМ – 0,125 – 10МОм

1

R5

БЛП – 0,5 – 10кОм

1

R8

ВС-2 – 43кОм

1

Конденсаторы

С1

К50 – 24

1

С2

К50 – 6

1

С3

БМ - 2

1

ГАБАРИТНЫЕ И УСТАНОВОЧНЫЕ РАЗМЕРЫ ЭРЭ

Диоды

КД102А

ТТ 3.362.082 ТУ

D

L

S

t

Шаг сетки

1,25

2,5

2,8

3,2

0,55

0,155

l

22,5

22,5

Вариант формовки установки IIа

Д223Б

СМ 3.362.018 ТУ

D

L

d

d1

Шаг сетки

1,25

2,5

4

12

0,7

0,7

l

20

20

Вариант формовки установки IIа

Д232

ТР 3.362.012 ТУ

D

D1

L

L1

d

d1

Шаг сетки

1,25

2,5

11,4

6,8

18

8,7

1

0,8

l

27,5

27,5

Вариант формовки установки Iа

Конденсаторы

БМ – 2

ГОСТ 9687 – 73

Номинальная емкость             1000пФ

D

L

d

Шаг сетки

1,25

2,5

5,5

20

0,9

l

25

25

Вариант формовки установки IIа

К50 – 6

ОЖ 0.464.031 ТУ

Номинальная емкость             100мкФ

Номинальное напряжение      15В

D

L

d

Шаг сетки

1,25

2,5

12

18,5

0,16

l

5

5

Вариант формовки установки IIв

К50 – 24

ОЖО 0.464.137 ТУ

Номинальная емкость             1000мкФ

Номинальное напряжение      15В

D

L

d

Шаг сетки

1,25

2,5

13

36

2

l

40

40

Вариант формовки установки IIа

Микросхема К176ЛЕ5

ЩИ 0.487.012 ЧТУ

бКО.348.047 – 07 ТУ корпус  201.14 – 1

Предельные отклонения размеров между осями двух любых выводов ±0,2мм

Предельные отклонения размеров между осями двух любых монтажных отверстий ±0,1мм; для автоматизированных процессов сборки ±0,05мм

Вариант формовки установки VIIIа

Резисторы

БЛП – 0,5 – 10к

ОЖ 0.467.062 ТУ

D

L

S

B

Шаг сетки

1,25

2,5

7,6

15,6

0,5

2,1

l

l1

l

l1

22,5

17,5

22,5

17,5

Вариант формовки установки IIб

ВС – 2 – 43к

ГОСТ 6562 – 75

D

L

S

B

Шаг сетки

1,25

2,5

9,7

48,4

0,5

2,6

l

l1

l

l1

53,75

47,5

55

47,5

Вариант формовки установки IIб

УЛИ – 0,125 – 100к

УЛИ – 0,125 – 430к

УЛИ – 0,125 – 43к

УЛИ – 0,125 – 820

УЛИ – 0,125 – 2к

ОЖ 0.467.062 ТУ

D

L

S

B

Шаг сетки

1,25

2,5

3,4

16

0,5

2

l

l1

l

l1

21,25

15

22,5

15

Вариант формовки установки IIб

КИМ – 0,125 – 10М

ОЖ 0.467.060 ТУ

D

L

d

Шаг сетки

1,25

2,5

1,8

3,8

0,4

l

12,5

12,5

Вариант формовки установки IIа

Стабилитрон Д814Г

СМ 3.362.012 ТУ

D

D1

L

L1

d

d1

Шаг сетки

1,25

2,5

7

5

15

9

1,1

0,7

l

25

25

Вариант формовки установки Iа

Транзистор КТ 315Г

ЖК 3.365.200 ТУ

H

L

B

t

S

Шаг сетки

1,25

2,5

5

7,2

3

0,2

0,95

l

2,5

2,5

Вариант формовки установки Iа

Обозначение выводов: 1 – эмиттер

2 – коллектор

3 - база

Тринистор КУ 202Н

ШП 3.369.003 ТУ

D

D1

D2

H

d

11,7

9

4±0,2

8

0,6

Вариант формовки установки IV

Обозначение выводов: 1 – электрод управляющий

2 – анод

3 – катод

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВЯЗИ СХЕМЫ

Земля : VD6(-)_VD5(-)_DD1(7)_R5(1)_VD2(-)_C2(-)_R10(1)_R6(1)_C1(-)_VS1(3)

Питание(+): VD7(+)_VD4(+)_R8(1)

Питание (-): VS1(2)

220В Х1: VD4(-)_VD5(+)

220B X2: VD7(-)_VD6(+)

1: R8(2)_VD3(-)_DD1(9)_R6(2)

2: VD3(+)_R5(2)_VD2(+)_C2(+)_R1(1)_DD1(14)_VD1(+)_R7(1)_VT1(k)

3: R1(2)_R2(1)

4: R2(2)_VD1(-)_R3(1)_C1(+)

5: R3(2)_DD1(2)_DD1(1)_R4(1)

6: DD1(3)_DD1(5)_DD1(6)

7: R4(2)_DD1(4)_DD1(8)

8: DD1(10)_C3(1)

9: C3(2)_DD1(13)_DD1(12)_R7(2)

10: DD1(11)_VT1(б)

11: VT1(э)_R9(1)

12: R9(2)_VS(1)_R10(2)


РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПП

Сопротивление проводника из однородного металла:

, где     r=0,0175мкОм/м – удельное электрическое сопротивление проводника, гальваническая медь;

l=42,5мм – длина проводника;

b=0,001мм – ширина проводника;

h=50мкм – толщина проводника.

Эффективная глубина проникновения тока:

, где     f=50Гц – частота;

y=0,5Ör=0,066 – коэффициент, зависящий от свойств токопроводящего материала и покрытия.

Толщина проводника 50мкм, ширина 0,3мм, сечение 0,015мм2 плотность тока при t=10°C     I=1.4А/мм

t=20°C        I=1.7А/мм

t=30°C        I=1.2А/мм

t=100°C       I=3.72А/мм

При b1 = b2=0.003мм

Емкость:

ε=1 – диэлектрическая проницаемость среды;

l=15мм – длина проводника;

h=0,050мм – толщина проводника;

а=5мм – зазор между проводниками.

При b1 = b2=0.001мм а=7,5мм                l=15мм

а=5мм                   l=15мм

a=2.5мм                l=7,5мм

При b1 ¹ b2

b1 =0.003мм         b2=0.001мм          а=5мм         l=25мм

L= L1 +L2-2M

Собственная индуктивность:

Взаимоиндуктивность:

L=17+17-2×1.25=31.5мкГн

Проводники расположены на одной прямой с малым зазором между их совпадающими концами:

l1 =5мм       l2 =10мм     а=2,5мм

Проводники расположены на значительном расстоянии l1 =l2 =5мм          а=22,5мм

Проводники расположены параллельно на одной стороне ПП, различной длины:

l1 =27,5мм            l2 =42,5мм            а=7,5мм

l1 =15мм               l2 =42,5мм            а=5мм

М=145,7мкГн


РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОСТРУКЦИИ ПП

Определение минимального диаметра металлизированного переходного отверстия:

, где     Нрас =1,5мм – расчетная толщина платы

v=0.33 – отношение диаметра отверстия к толщине пластины

Номинальное значение диаметров монтажных отверстий Д0 :

, где     Двыв – максимальный диаметр вывода устанавливаемого ЭРЭ

Δdн.о. =0,1мм для Двыв ≤1мм – нижнее предельное отклонение от номинального диаметра монтажного отверстия

Δdн.о. =0,15мм для Двыв >1мм

∆з =0,3мм – разница между минимальным диаметром отверстия и максимальным диаметром вывода

Максимальный диаметр просверленного отверстия:

, где     bм =0.05мм – расстояние от края просверленного отверстия до края контактной площадки (гарантийный поясок)

dd =0.05мм – допуск а расположение отверстий

dр =0,15мм – допуск на расположение контактных площадок

Минимальный диаметр контактных площадок:

, где     hч =0,05мм

Максимальный диаметр контактной площадки:

Двыв

Д0

Дmax

Д1min

Дmin

Дкп

0,4

0,8

1

1,5

1,575

1,615

0,5

0,55    0,7

0,6

0,7

1,1

1,3

1,8

1,875

1915

0,9

0,95    1

1

1,45

1,7

2,2

2,275

2,315

1,1

1,55

1,8

2,3

2,375

2,415

2

2,45

2,7

3,2

3,275

3,315

Минимальная ширина проводника:

, где     ∆t=0.05мм – допуск на ширину проводника

t1min =0.15мм – минимальная эффективная ширина проводника

tmin =0,15+0,075+0,05=0,275мм

Максимальная ширина проводника:

tmax =tmin +(0,02…0,06)=0.275+0.04=0.315мм

Минимальное расстояние между двумя проводниками:

Smin1 =L –(tmax +2dl), где     L=2.5мм – расстояние между проводниками

dl=0,03мм – допуск на расположение проводников

Smin =2,5-(0,315+2×0,03)=2,125

Минимальное расстояние для прокладки проводников в магистральном канале между краем платы и контактной площадкой металлизированного отверстия:

Smin2 =0.5Дmax +dp +(S+tmax +dl)N+lоп

S=0.15мм – номинальное расстояние между проводниками

N=0 – число проводников в магистральном канале

lоп =5мм – расстояние от края платы до печатного проводника

Smin2 =0.5×1.3+0.15+5=5,8мм

Метод изготовления ДПП – комбинированный позитивный.

Определяем минимальную ширину печатного проводника по постоянному току для цепей питания и заземления:

, где     Jmax =5А – максимальный ток протекающий в проводниках

Похожие материалы

Информация о работе

ВУЗ:
Балаковский институт техники, технологии и управления (БИТТУ)
Предмет:
Электротехника
Тип:
Конспекты лекций
Категория:
Электротехника (Технические предметы)
Размер файла:
176 Kb
Скачали:
0
Скачать файл