Исследование транзисторных цепей. Экспериментальное исследование переходных процессов, происходящих в транзисторном ключе

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет

Факультет Технической Кибернетики

Кафедра Автоматики и Вычислительной Техники

ОТЧЕТ

о лабораторной работе №4

                            «Исследование транзисторных цепей»____  _     _____              

                                                 Электроника__      ____________________  __

                                       Работу выполнил студент    2081/2   

группа           Ф.И.О.

Преподаватель      

подпись           Ф.И.О.

Санкт-Петербург

2006г.

1. Цель работы.

Экспериментальное исследование переходных процессов, происходящих в транзисторном ключе.

2. Чертеж схемы исследуемого устройства ( рис. 2.1 ).

                                      

Рис. 2.1

3. Исходные данные. ( 5 вариант )

Тип транзистора: МП-25, , напряжение смещения:

входное напряжение:, ток насыщения (ток коллектора):,

, Время импульса:, Коэффициент насыщения:

4. Расчет элементов и параметров схемы.

1) , где  - из справочника.

2) Статического коэффициент усиления по току:  25.

3)

4) При граничной частоте транзистора, включённого по схеме с общей   базой, равной   вычисляем значение :

т.к.

5)

т.к.

6)

, где      , а

7) При наличии C:

т.к.

     т.к.

t_расс= t_бln=

5. Примеры расчетов. Экспериментальные зависимости.

5.1) Измерить tф, tсп, tрасс при отсутствии форсирующей емкости.              

tрасс = 1,3 мкс

tф = 4,6 мкс

tсп = 11 мкс

          5.2) Зависимость параметров переходного процесса от продолжительности импульса (t_имп). ( табл. 5.1, рис. 5.1 )

Таблица 5.1

tимп, мкс	tф, мкс	tсп, мкс	tрасс, мкс
4	3,8	8	0
5	5,0	9,2	0
6	5,2	9,2	0,2
7	5,2	9,3	0,5
8	5,2	9,4	0,6
9	5,6	10	1,4
10	4,6	7,8	1,3
15	5	2,5	1,25
20	5	2,5	1,25
25	5	2,5	1,25

5.3)Зависимость параметров переходного процесса от Iб1.

Величину менять, устанавливая ряд значений R, имеющихся на стенде.

( табл. 5.2, рис. 5.2 )

Iб1=Eвх/(Rc+R) – (Eсм/Rб)

Таблица 5.2

R, Ом	Iб1, мА	tф, мкс	tсп, мкс	tрасс, мкс
680	0,95	1,0	2,0	1,0
762	0,68	2,8	2,2	1,1
1000	0,00	4,6	7,8	1,3
1082	-0,20	7,2	2,4	1,0
1125	-0,29	9,6	2,4	0,2
1155	-0,36	9,6	1,6	0
1680	-1,27	9,8	0,4	0
2000	-1,67	10	0,1	0

5.4) Зависимость параметров переходного процесса от Iб2.

Величину менять, регулируя Rб.

( табл. 5.3, рис. 5.3 )

Iб2=Есм/Rб

Таблица 5.3

Rб, Ом	Iб2, мА	tф, мкс	tсп, мкс	tрасс, мкс
680	7,35	9,8	0,8	0
762	6,56	9,6	1,2	0
1000	5,00	4,6	7,8	1,3
1082	4,62	4,4	2,4	0,8
1125	4,44	4,6	2,4	0,8
1155	4,33	4,5	2,4	0,8
1680	2,98	2,8	2,8	1,6
2000	2,50	2,6	3,0	2,0