Исследование транзисторных цепей. Экспериментальное исследование переходных процессов, происходящих в транзисторном ключе, страница 2

5.5) Зависимость параметров переходного процесса от Iкн.

Изменять параметр с    помощью установки ряда значений Rк.

( табл. 5.4, рис. 5.4 )

Iкн=E0/Rк

Таблица 5.4

Rк, Ом	Iкн, мА	tф, мкс	tсп, мкс	tрасс, мкс
160	94	9,6	2,6	0
242	62	9,6	2,4	0
285	53	9,8	2,4	0
315	48	9,8	2,4	0
330	45	9,6	2,8	0
490 (500)	31	4,6	7,8	1,3
680	22	5,2	1,6	0,4
762	20	4,8	1,2	0,8
840	18	4,8	1,2	0,8
1000	15	2,0	1,2	2,0

5.6) Зашунтировать резистор R конденсатором C.

Зависимость параметров от емкости.      

( табл. 5.5, рис. 5.5 )

Таблица 5.5

6. Выводы.

Расчет погрешностей.

Допустимая погрешность теоретическая, связанная с

;

;  

1)

2)

1) Отсутствие форсирующей емкости:

- теоретические значения: , ,

- экспериментальные значения: tф = 4,6 мкс, tсп = 11 мкс, tрасс = 1,3 мкс

     ,     ,

2) Присутствие форсирующей емкости С:

В данном случае мы не можем подсчитать погрешность, потому что значения емкости, имеющиеся на стенде и использованные нами в эксперименте, далеки от тех, которые были рассмотрены в теории.

Полученная погрешность, в особенности в измерении tсп, ярко видна и на всех графиках, это измерение можно считать ложным.

В результате проведенного эксперимента были получены экспериментальные данные, а по ним построены следующие зависимости: t(t_имп), t(I_б1), t(I_б2), t(I_кн) и t(C).  

Рассмотрим по порядку все полученные результаты ( ложную точку при этом не рассматриваем ):

1) Зависимость t(t_имп)

С ростом длительности импульса,t_ф практически не изменяются, t_сп - вначале линейная зависимость, потом - уменьшение, а t_расс немного увеличивается практически линейно. Это можно объяснить тем, что с ростом времени импульса увеличивается избыточный заряд Q_изб.

2) Зависимость t(I_б1)  

При увеличении I_б1 t_ф экспоненциально убывает, так как с ростом базового тока Q_гр накапливается быстрее. t_сп немного увеличивается ( линейно ). Также t_расс практически линейно возрастает.

3) Зависимость t(I_б2)  

С ростом I_б2  t_ф экспоненциально возрастает, t_сп убывает практически линейно. Время t_расс убывает практически линейно, т.к. при большем I_б2 быстрее рассосется заряд Q_изб.

4) Зависимость t(I_кн) 

С ростом I_кн  t_сп увеличивается, t_ф экспоненциально возрастает из-за увеличения Q_гр, t_расс экспоненциально убывает из-за уменьшения времени накапливания избыточного заряда Q_изб.

 

5) Зависимость t(C)

С ростом С_ф t_ф экспоненциально убывает (из-за увеличения токов I_б1 и I_б2).   После подачи входного     импульса при наличии форсирующей емкости в базе течет ток I_б^’=> I_б1, это увеличивает скорость накопления заряда Q_б, а следовательно, ведет к уменьшению длительности t_ф. t_сп  экспоненциально убывает, т.к. после окончания входного импульса в течение некоторого промежутка времени поддерживается повышенное значение I_б2  за счет разряда форсирующей емкости, что способствует быстрому рассасыванию избыточного заряда, а следовательно, уменьшению значения t_сп. t_расс практически не меняется.

Но учитывая, что произведено 4 измерения, сложно судить о происходящем процессе точно.