DB1
Рис. Горизонтальный
8 АВ0 АВ7
8080/86 D1 D8
МП А0 256К 1 1 ....... А0 256К 1
. 8 I/O . 8 I/0
АВ8 . .
А7 8 А7 8
CS CS
АВ15
DB
Рис. Вертикальный
16 АВ
8080/86
МП А0 32К D А0 32К D
. * . *
. 4 . 4
А14 D0-D3 А7 D4-D7
CS CS
DB
4 4
А0 32К D A0 32К D
. * . *
. 4 . 4
А14 A14
CS CS
Рис. Смешанный
В динамических ОЗУ используют паразитные емкости между затвором и истоком полевого транзистора; для схемы динамического ОЗУ, реализовывают на 1 транзисторе при записи информации единичным сигналом на линии АШ открывается транзистор. Если на ДШ подали “1”, то конденсатор заряжается , если “0”, то конденсатор разряжается, при чтении “1” сигнал на АШ открывает транзистор и в зависимости от заряда конденсатора соответствующие данные выдаются.
Недостаток: при каждом чтении разряжается конденсатор, после чего надо производить повторную запись.
Чтобы исключить самостоятельный разряд конденсатор ....... производят через определенное время.
Для ячейки динамического ОЗУ реализованной на 3 транзисторах для записи информации на АШ устанавливают “1” открывается транзистор T1. Если на вход данных подана логическая “1” то конденсатор заряжается , если “0” то разряжается. При считывании информации логическая единица по АШ открывает Т3. Если на затворе Т2 находится “1”, то Т2 открывается и на выход подается “0”. В противном случае, получим “1”.
Способы наращивания информационной емкости.
Различное МПС требует различной емкости памяти. Чтобы обеспечить требуемую емкость из стандартных БИС ЗУ используют горизонтальный, вертикальный и комбинированный метод наращивания емкости памяти.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.