Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Экспериментальное исследование статических характеристик

Лабораторная работа №5.

Статические характеристики биполярного транзистора 

в схеме с общим эмиттером

Цель работы: экспериментальное исследование статических характеристик

n-p-n транзистора в схеме с ОЭ, определение коэффициента передачи тока

базы и исследование его зависимости от режима работы.

Ход работы.

1. Собрали схему эксперимента.

2. Iко=0, при Uкэ=0

3. Uкэ=+10 В, Iк=10 мА, Iбм=0,25 мА.

4. Сняли семейство выходных характеристик при фиксированных токах

базы. Результаты занесли в таблицу:

Uкэ, В

0

0,1

0,2

0,5

1

2

4

6

8

10

Iб=0,1*Iбм

-0,003

0,15

0,21

0,22

0,225

0,23

0,24

0,247

0,255

0,269

Iб=0,25*Iбм

-0,05

0,46

0,8

1

1,02

1,08

1,04

1,08

1,1

1,14

Iб=0,5*Iбм

Iк, мА

-0,06

1,7

2,8

3

3,09

3,17

3,27

3,43

3,52

3,7

Iб=1*Iбм

-0,04

0,65

1,4

7,7

7,8

8

8,4

8,8

9,2

9,6

Iб=1,5*Iбм

-0,058

0,77

8,1

11,57

11,78

12,1

12,6

13,14

13,7

14,6

Iб=2*Iбм

-0,03

4,4

9,8

17,2

17,8

18,26

19

19,74

20

21,8

5. Сняли семейство входных характеристик для Uкэ=0, +5, +10 В. Токи базы

задавали аналогично п.4. Данные занесли в таблицу:

Uкэ=0 В

Iб, мкА

0

0,1*Iбм

0,25Iбм

0,5*Iбм

1*Iбм

1,5*Iбм

2*Iбм

Uбэ, В

0,12

0,59

0,63

0,65

0,68

0,7

0,71

Uкэ=+5 В

Uбэ, В

0,239

0,6

0,663

0,706

0,74

0,75

0,76

Uкэ=+10 В

Uбэ, В

0,28

0,604

0,668

0,696

0,714

0,72

0,725

Вывод: исследовали статические характеристики n-p-n транзистора в схеме с ОЭ,

построили по результатам эксперимента семейство входных и выходных    

характеристик и характеристику прямой передачи Iк=f(Iб).