Цель работы: Изучение основных свойств p-n перехода, исследование вольтамперных характеристик кремниевого и германиевого полупроводниковых диодов, определение параметров схем замещения диодов, исследование параметров диодов от режима работы.
Ход работы.
1. Собираем схему эксперимента. Снимаем зависимость обратного тока диода от напряжения для диодов VD1 и VD2. Данные записываем в таблицу.
|
Uобр,В |
0.1 |
2 |
2.5 |
3 |
3,5 |
4 |
4,5 |
5 |
6 |
|
|
Iобр, мкА |
VD1 |
0.4 |
1,9 |
3 |
4.4 |
6 |
8,6 |
11,6 |
16.2 |
30 |
|
VD2 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
|
2. Построим обратную ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2. Определим параметры эквивалентной схемы замещения.
3. Задавая прямой ток диодов, снимаем
зависимость прямых напряжения для VD1 и VD2. Данные заносим в таблицу.
|
Iпр, мА |
0.05 |
0.1 |
0.2 |
0.5 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
|
Uпр, В |
VD1 |
0.19 |
0.22 |
0.24 |
0.28 |
0.31 |
0.34 |
0.37 |
0.39 |
0.4 |
0.42 |
0.43 |
0.44 |
0.46 |
0.47 |
|
VD2 |
0.52 |
0.55 |
0.59 |
0.62 |
0.66 |
0.69 |
0.71 |
0.73 |
0.74 |
0.75 |
0.76 |
0.77 |
0.78 |
0.79 |
|
4. Построим в линейном масштабе прямую ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2.определим параметры эквивалентной схемы Eпр и rпр VD1 и VD2:
5. Построим в полулогарифмическом масштабе прямую ветвь ВАХ диодов VD1 и VD2. Найдем идеализированную прямую и определим тепловые токи диодов Iо1 и Iо2
6. Рассчитаем значения дифференциального сопротивления rдиф и сопротивления постоянному току Rд в соответствии с формулами: Фт = 25 mB
Воспользуемся значениями тепловых токов в соответствии с п.5.
Данные расчета занесем в таблицу:
|
I пр. , mA |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
|
r диф., Ом |
VD1 |
3000 |
1400 |
300 |
133 |
60 |
30 |
30 |
20 |
10 |
20 |
10 |
10 |
10 |
20 |
|
VD2 |
9800 |
1200 |
400 |
133 |
60 |
40 |
20 |
10 |
20 |
10 |
10 |
10 |
0 |
10 |
|
|
Rg , Ом |
VD1 |
3000 |
2200 |
1250 |
580 |
320 |
175 |
126 |
100 |
82 |
72 |
63 |
56 |
51 |
48 |
|
VD2 |
9800 |
5500 |
2950 |
1260 |
660 |
350 |
240 |
183 |
150 |
126 |
110 |
98 |
86 |
79 |
|
7. Построим зависимости rдиф и Rд VD1 и VD2 от прямого тока и прямого напряжения:
Вывод: Изучили основные свойства p-n перехода, исследовали ВАХ кремниевого и германиевого полупроводниковых диодов, определили параметры схем замещения диодов, исследовали параметры диодов от режима работы.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
