Определение статистических характеристик биполярных транзисторов

Страницы работы

10 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики

Кафедра электроники

Отчет к лабораторной работе №3

«Статистические характеристики биполярных транзисторов»

Работу выполнили:

Смирнов Р.А. 2517

Преподаватель: Мандрыко Ю.А.

Дата:


Цель работы

Определение статистических характеристик биполярных транзисторов.

Схемы

Схема с общим эмиттером (рис. 1):

Схема с общим эмиттером (рис. 2):


Схема с общим эмиттером (рис. 4):

Схема с транзистором, включенным по схеме с общим эмиттером в усиленный каскад с активной нагрузкой (рис. 2):


Измерения

Таблица 1

Rб, кОм

Uкэ, В

Uбэ, В

Iб, мА

Iк, мА

      , Iк/Iб

1

10

0,96

9,04

435

48,119

2

10

0,896

4,552

292

64,148

10

10

0,815

0,919

106

115,343

20

10

0,791

0,46

64

139,130

30

10

0,777

0,307

47

153,094

40

10

0,768

0,231

37

160,173

50

10

0,762

0,185

31

167,568

100

10

0,741

0,096

16

166,667

125

10

0,734

0,074

13

175,676

150

10

0,728

0,062

11

177,419

200

10

0,72

0,046

8,175

177,717

250

10

0,713

0,037

6,458

174,541

300

10

0,707

0,031

5,305

171,129

400

10

0,699

0,023

3,803

165,348

500

10

0,692

0,019

3,003

158,053

1000

10

0,67

0,00933

1,331

142,658

Таблица 2

Еб, В

Uкэ=Ек, В

Iк0, мА

Iб, пА

Uбэ, мкВ

0

10

10

-0,012

1,234

Таблица 3

Rб, кОм

Iб, мА

Uбэ, В

Iк, мА

Uкэ, мкВ

50

0,188

0,616

-0,185

0,185

5

1,861

0,694

-1,751

1,751

2

4,626

0,747

-4,06

4,06

1

9,186

0,814

-7,216

7,216

Таблица 4

Rб = 100 кОм,  Iб, мА

Ек, В

0,05

0,1

0,15

0,2

0,3

0,5

1

5

10

Iк, мА

0,289

2,228

7,32

12

14

14

15

15

16

Rб = 50 кОм,  Iб, мА

Ек, В

0,05

0,1

0,15

0,2

0,3

0,5

1

5

10

Iк, мА

0,556

4,112

13

22

27

27

27

29

31

Rб = 25 кОм,  Iб, мА

Ек, В

0,05

0,1

0,15

0,2

0,3

0,5

1

5

10

Iк, мА

1,083

7,115

20

35

47

48

48

51

54


 Таблица 5

Rб, кОм

Iб, мА

Iк, мА

Uбэ, В

Uкэ, В

1000

0,0093

1,32

0,67

9,34

500

0,019

2,949

0,692

6,526

200

0,046

7,789

0,72

6,105

100

0,093

15

0,741

2,552

80

0,116

18

0,741

0,999

75

0,123

19

0,749

0,509

50

0,185

20

0,751

0,186

25

0,37

20

0,754

0,149

2

4,597

20

0,805

0,083


Графики

Зависимость Iк от      в диапазоне токов коллектора от 1 до 60 мА:

График зависимости Iб от Uбэ (по данным таблицы 1):

График зависимости Iб от Uбэ (по данным таблицы 3):


Показания осциллографа для сравнения с зависимостью Iб от Uбэ (по данным таблицы 1)(Mi = 5 mA/дел, Mu = 200 мВ/дел):

Показания осциллографа для сравнения с зависимостью Iб от Uбэ (по данным таблицы 3)(Mi = 5 mA/дел, Mu = 200 мВ/дел):

Графики семейства выходных характеристик транзистора Iк = f (Uкэ):


Графики выходных характеристик транзистора снятые с осциллографа(Mi = 20 мА/дел,                   Mu = 0,5 В/дел):


Передаточная характеристика транзистора:

Передаточная характеристика транзистора снятая с осциллографа (Mi = 250 mA/дел, Mu = 200 мВ/дел):

Передаточные характеристики транзистора (по данным таблицы 5):

Выводы

Нами были получены характеристики биполярных транзисторов. Графики, построенные на показателях измерительных приборов, соответствуют диаграммам осциллографа.

Похожие материалы

Информация о работе