Определение статистических характеристик биполярных транзисторов

Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики

Кафедра электроники

Отчет к лабораторной работе №3

«Статистические характеристики биполярных транзисторов»

Работу выполнили:

Смирнов Р.А. 2517

Преподаватель: Мандрыко Ю.А.

Дата:

Цель работы

Определение статистических характеристик биполярных транзисторов.

Схемы

Схема с общим эмиттером (рис. 1):

Схема с общим эмиттером (рис. 2):

Схема с общим эмиттером (рис. 4):

Схема с транзистором, включенным по схеме с общим эмиттером в усиленный каскад с активной нагрузкой (рис. 2):

Измерения

Таблица 1

Rб, кОм	Uкэ, В	Uбэ, В	Iб, мА	Iк, мА	, Iк/Iб
1	10	0,96	9,04	435	48,119
2	10	0,896	4,552	292	64,148
10	10	0,815	0,919	106	115,343
20	10	0,791	0,46	64	139,130
30	10	0,777	0,307	47	153,094
40	10	0,768	0,231	37	160,173
50	10	0,762	0,185	31	167,568
100	10	0,741	0,096	16	166,667
125	10	0,734	0,074	13	175,676
150	10	0,728	0,062	11	177,419
200	10	0,72	0,046	8,175	177,717
250	10	0,713	0,037	6,458	174,541
300	10	0,707	0,031	5,305	171,129
400	10	0,699	0,023	3,803	165,348
500	10	0,692	0,019	3,003	158,053
1000	10	0,67	0,00933	1,331	142,658

Таблица 2

Таблица 3

Rб, кОм	Iб, мА	Uбэ, В	Iк, мА	Uкэ, мкВ
50	0,188	0,616	-0,185	0,185
5	1,861	0,694	-1,751	1,751
2	4,626	0,747	-4,06	4,06
1	9,186	0,814	-7,216	7,216

Таблица 4

Rб = 100 кОм,  Iб, мА	Ек, В	0,05	0,1	0,15	0,2	0,3	0,5	1	5	10
	Iк, мА	0,289	2,228	7,32	12	14	14	15	15	16
Rб = 50 кОм,  Iб, мА	Ек, В	0,05	0,1	0,15	0,2	0,3	0,5	1	5	10
	Iк, мА	0,556	4,112	13	22	27	27	27	29	31
Rб = 25 кОм,  Iб, мА	Ек, В	0,05	0,1	0,15	0,2	0,3	0,5	1	5	10
	Iк, мА	1,083	7,115	20	35	47	48	48	51	54

 Таблица 5

Rб, кОм	Iб, мА	Iк, мА	Uбэ, В	Uкэ, В
1000	0,0093	1,32	0,67	9,34
500	0,019	2,949	0,692	6,526
200	0,046	7,789	0,72	6,105
100	0,093	15	0,741	2,552
80	0,116	18	0,741	0,999
75	0,123	19	0,749	0,509
50	0,185	20	0,751	0,186
25	0,37	20	0,754	0,149
2	4,597	20	0,805	0,083

Графики

Зависимость Iк от      в диапазоне токов коллектора от 1 до 60 мА:

График зависимости Iб от Uбэ (по данным таблицы 1):

График зависимости Iб от Uбэ (по данным таблицы 3):

Показания осциллографа для сравнения с зависимостью Iб от Uбэ (по данным таблицы 1)(Mi = 5 mA/дел, Mu = 200 мВ/дел):

Показания осциллографа для сравнения с зависимостью Iб от Uбэ (по данным таблицы 3)(Mi = 5 mA/дел, Mu = 200 мВ/дел):

Графики семейства выходных характеристик транзистора Iк = f (Uкэ):

Графики выходных характеристик транзистора снятые с осциллографа(Mi = 20 мА/дел,                   Mu = 0,5 В/дел):

Передаточная характеристика транзистора:

Передаточная характеристика транзистора снятая с осциллографа (Mi = 250 mA/дел, Mu = 200 мВ/дел):

Передаточные характеристики транзистора (по данным таблицы 5):

Выводы

Нами были получены характеристики биполярных транзисторов. Графики, построенные на показателях измерительных приборов, соответствуют диаграммам осциллографа.