в) пункты «а» и «б». Абзац 102
116. Фотогенераторный преобразователь характеризуется:
а) напряжением холостого хода;
б) током короткого замыкания;
в) пункты «а» и «б». Абзац 102
117. Режим короткого замыкания характеризуется:
а) высоким быстродействием;
б) малой постоянной времени;
в) широкой полосой пропускания;
г) пункты «а» и «б». Абзац 103
118. Напряжение холостого хода измеряется непосредственно на фотодиоде, так как:
а) его прямое сопротивление очень мало;
б) его обратное сопротивление очень высоко. Абзац 104
119. При освещении фототранзистор ведет себя как:
а) фотодиод в фотодиодном режиме; Абзац 105
б) фотодиод в генераторном режиме;
в) транзистор с p-n-p переходом.
120. При освещении фотодиод, включенный в базу фототранзистора, вызывает:
а) ток базы;
б) ток эмиттер-база;
в) ток коллектора;
г) пункты «а» и «в». Абзац 106
121. Возникновение тока коллектора при освещении фототранзистора обусловлено:
а) увеличением потенциала базы;
б) понижением потенциального барьера эмиттер-база;
в) пункты «а» и «б». Абзац 106
122. В основу фотоэлектронного умножителя положено:
а) явление внешнего фотоэффекта;
б) явление внутреннего фотоэффекта;
в) явление вторичной электронной эмиссии. Абзац 108
123. Коэффициент усиления фотоэлектронного умножителя зависит:
а) от числа электронов, вылетевших из катода;
б) от числа динодов;
в) пункты «а» и «б». Абзац 109
124. Оптоэлектронные преобразователи на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС-структур) представляют собой:
а) комбинацию элементарных МДП-конденсаторов, сформированных на общей полупроводниковой подложке; Абзац 105
б) комбинацию элементарных МДП-фотодиодов, сформированных на общей полупроводниковой подложке.
125. При освещении элементарных ячеек ПЗС заряды накапливаются:
а) на границе раздела диэлектрик-полупроводник;
б) в потенциальных ямах, возникающих под плоскими электродами. Абзац 106
126. Направленная передача накопленных зарядов в элементарных МДП-конденсаторах осуществляется:
а) путем приложения к различным электродам ПЗС в определенной последовательности управляющих напряжений; Абзац 106
б) путем освещения элементарных ячеек ПЗС в определенной последовательности.
127. Высокой степенью интеграции обладают:
а) приборы с зарядовой связью; Абзац 107
б) преобразователи на основе интегральных фотодиодных матриц.
128. Интегральные фотодиодные матрицы представляют собой:
а) комбинацию элементарных МДП-конденсаторов, сформированных на общей полупроводниковой подложке;
б) комбинацию элементарных МДП-фотодиодов, сформированных на общей полупроводниковой подложке. Абзац 108
129. Развертка изображения в интегральной фотодиодной матрице осуществляется:
а) путем последовательного освещения элементарных фотоячеек матрицы;
б) путем коммутации элементарных ячеек матрицы электронными ключами, встроенными в ИФДМ. Абзац 108
130. В ИФДМ с поэлементной организацией считывание осуществляется:
а) путем последовательного опроса каждой элементарной ячейки матрицы при совпадении сканирующих напряжений по ее строкам и столбцам; Абзац 108
путем одновременного считывания сигнала со всей строки матрицы.
131. Для поэлементной выборки ячеек ИФДМ снабжают:
а) схемами в виде вертикальных и горизонтальных сдвиговых регистров;
б) дешифраторами;
в) пункты «а» и «б». Абзац 109
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.