Средства неразрушающего контроля. Первичный измерительный преобразователь. Принцип действия активных ПИП, страница 7

в)  частота колебаний, при которой между излучателем и приемником укладывается одна волна.

97. Частота последовательного резонанса пьезорезонатора определяется из выражений:

а)  ;

б)  ;

в)  пункты «а» и «б». Абзац 87

98. Частота механического резонанса пьезорезонатора совпадает:

а)  с частотой параллельного резонанса;

б)  с частотой последовательного резонанса. Абзац 87

99. Выражение  определяет:

а)  частоту последовательного резонанса в пьезорезонаторе;

б)  частоту механического резонанса в пьезорезонаторе;

в)  частоту параллельного резонанса в пьезорезонаторе. Абзац 88

100.  Сферическая волна может быть создана:

а)  цилиндрическим излучателем, периодически изменяющим свой радиус;

б)  точечным и сферический излучателем периодически изменяющим свой объем. Абзац 89

101.  Волновое уравнение  описывает форму:

а)  цилиндрической волны;

б)  сферической волны; Абзац 89

в)  плоской волны.

102.  Волновое уравнение  описывает форму:

а)  сферической волны;

б)  плоской волны;

в)  цилиндрической волны. Абзац 90

103.  К ПИП излучений относятся:

а)  фотоэлектрические датчики;

б)  датчики ионизационных излучений;

в)  пункты «а» и «б». Абзац 91

104.  К достоинствам ламп накаливания как источников излучения относят:

а)  значительный по величине поток излучения;

б)  непрерывный спектр излучения;

в)  значительная тепловая инерция;

г)  пункты «б» и «в»;

д)  пункты «а» и «б». Абзац 92

105.  К достоинствам светодиодов как источников излучения относятся:

а)  малая постоянная времени;

б)  определенный и ограниченный спектр;

в)  слабый поток излучения;

г)  пункты «б» и «в»;

д)  пункты «а» и «б». Абзац 93

106.  Физическое явление, положенное в основу фоторезисторов:

а)  фотопроводимость, вызванная внешним фотоэффектом; Абзац 94

б)  фотопроводимость, вызванная внутренним фотоэффектом.

107.  Номинальная статическая характеристика фоторезистора имеет вид:

а)  ; Абзац 95

б)  .

108.  Статический коэффициент преобразования фоторезистора имеет вид:

а)  ; Абзац 96

б)  .

109.  К достоинствам фоторезистора не относится:

а)  высокое значение статического коэффициента преобразования;

б)  высокая чувствительность;

в)  полоса пропускания 10²-10⁵ Гц;

г)  нелинейность выходной характеристики;

д)  пункты «в» и «г»; Абзац 97

е)  пункты «а» и «в».

110.  К полупроводниковым фотоприемникам относятся:

а)  фотодиоды и фототранзисторы; Абзац 98

б)  фотодиоды, фототранзисторы и оптроны;

в)  фотодиоды, фототранзисторы, оптроны и фототиристоры.

111.  Режимы работы фотодиода:

а)  фотогенераторный;

б)  вентельный;

в)  фотодиодный;

г)  пункты «а» и «в»;

д)  пункты «а», «б» и «в».         Абзац 98

112.  Для фотодиодного режима характерно:

а)  отсутствие темнового тока; Абзац 99

б)  наличие темнового тока.

113.  Величина обратного тока для фотодиодного режима определяется из формулы . Чем вызван ток :

а)  основными носителями заряда;

б)  неосновными носителями заряда; Абзац 100

в)  фотоэффектом.

114.  Величина обратного тока для фотодиодного режима определяется из выражения :

а)  при незначительной величине обратного напряжения;

б)  при большой величине обратного напряжения;  Абзац 101

в)  при малой нагрузке.

115.  Особенность фотогенераторного режима:

а)  отсутствие внешнего источника питания;

б)  отсутствие темнового тока;