Полупроводник. Удельное электрическое сопротивление полупроводников. Собственный полупроводник

области коллектора, так как в этой области значительная концентрация примесей;

2)  в области базы, так как здесь концентрация примесей меньше, а удельное сопротивление больше;

3)  одинаково в области базы и коллектора.

130.

Токи эмиттера и коллектора от толщины базы

1)  не зависят;

2)  зависят, причем токи возрастают с уменьшением толщины базы;

3)  зависят, причем токи уменьшаются с ростом толщины базы;

4)  зависят, причем токи увеличиваются с ростом толщины базы.

131.

Модуляция толщины базы коллекторным напряжением – это

1)  изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода;

2)  влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы;

3)  изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода;

4)  правильного ответа нет.

132.

Электрическое поле в области базы бездрейфового биполярного транзистора

1)  не существует;

2)  существует;

3)  правильного ответа нет.

133.

Режим отсечки биполярного транзистора – это состояние, когда

1)  коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном;

2)  коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный – в прямом;

3)  коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении;

4)  коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении.

134.

Входное сопротивление усилительного каскада на биполярном транзисторе меньше

1)  при включении с общей базой;

2)  при включении с общим эмиттером;

3)  при включении с нагрузкой по схеме с общим коллектором;

4)  при любом включении сопротивление одинаково.

135.

Получить усиление тока при включении транзистора по схеме с общей базой

1)  можно;

2)  нельзя;

3)  можно при большом сопротивлении в цепи коллектора;

4)  можно при малом сопротивлении в цепи коллектора.

136.

Наибольшее усиление мощности обеспечивает

1)  схема с общей базой;

2)  схема с общим эмиттером;

3)  схема с общим коллектором;

4)  во всех схемах усиление мощности одинаково.

137.

Активный режим работы транзистора – это

1)  эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении;

2)  эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении;

3)  эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном;

4)  эмиттерный переход смещен в обратном направлении, коллекторный – в прямом.

138.

Усилительный каскад имеет минимальное выходное сопротивление

1)  в схеме с ОБ;

2)  в схеме с ОЭ;

3)  в схеме с ОК.

139.

Усиление тока можно получить

1)  в схеме с общей базой;

2)  в схемах с общим эмиттером и общим коллектором;

3)  в схемах с общим эмиттером и общей базой;

4)  в схемах с общим коллектором и общей базой.

140.

Режим насыщения транзистора – это состояние, когда

1)  эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении;

2)  эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном;

3)  эмиттерный переход смещен в обратном направлении, коллекторный – в прямом;

4)  оба перехода смещены в прямом направлении.

Раздел 8.

141.

Типичные значения коэффициента передачи тока h_21Б транзистора в схеме с ОБ составляют

1)  h_21Б=30 ¸ 50;

2)  h_21Б=0,8 ¸ 0,9;

3)  h_21Б=0,95 ¸ 0,99;

4)  h_21Б=40 ¸ 80.

142.

Входными характеристиками транзистора называются зависимости

1)  U₁=f₁(I₁) при U₂=const;

2)  I₁=f₁(U₁) при I₂=const;

3)  I₂=f₁(U₁) при U₂=const;

4)  U₂=f₁(U₁) при I₂=const.

143.

Выходными характеристиками транзистора называются зависимости

1)  I₂=f₁(U₂) при I₁=const;

2)  U₂=f₂(I₁) при I₂=const;;

3)  I₂=f₃(U₁) при U₂=const;;

4)  U₂=f₄(U₁) при I₂=const;.

144.

Основными семействами характеристик транзистора являются

1)  семейства характеристик входных и передачи тока;

2)  семейства характеристик выходных и обратной связи;

3)  семейства характеристик передачи тока и обратной связи;

4)  семейства характеристик входных и выходных.

145.

В эмиттерном переходе транзистора происходят процессы

1)  диффузионное перемещение носителей заряда из области базы4

2)  инжекция носителей заряда из эмиттера в базу;

3)  дрейфовое перемещение основных носителей заряда из эмиттера в базу;

4)  дрейфовое перемещение носителей заряда из базы в эмиттер.

146.

В области базы транзистора происходит

1)  рекомбинация неосновных носителей с основными носителями области