Надежность РЭА. Безотказность неремонтируемых объектов. Экспоненциальное распределение. Распределение Пуассона

Страницы работы

53 страницы (Word-файл)

Фрагмент текста работы

Элементы при тренировках ставят в более тяжелые условия.

В процессе настройки аппаратуры необходимо стремиться к тому, чтобы все элементы настройки и регулировки были установлены в положения, при которых изменения параметров не приводили бы к на рушению работоспособности.

Характер регулировок в процессе настройки аппаратуры на заводе должен тщательно продумываться с учетом схемных решений и предшествующего опыта.            .                            Текущий  контроль позволяет выявить некондиционные элементы и  узлы и не допустить их на дальнейшую сборку, выявить отступление от принятой технологии.

Выходной контроль является окончательной проверкой РЭА после сборки и настройки.

Правильная эксплуатация также существенно влияет на надежность РЭА. Здесь сказываются два фактора:

·влияние внешней среды и условий эксплуатации;

·организация эксплуатации и квалификация обслуживающего персонала.

Улучшение организации эксплуатации предусматривает планирование профилактических работ, обеспечение необходимой диагностической и контрольно-измерительной аппаратурой, автоматизацию контроля состояния РЭА, правильное планирование необходимых запасных элементов, узлов и т.д.

Повышение квалификации обслуживающего персонала предусматривает углубленное изучение конкретной РЭА, особенностей ее эксплуатации, знание диагностической и контрольно-измерительной аппаратуры и технологии ремонта. Это помогает сокращать время на отыскание и устранение неисправностей.

2.2. ПОВЫШЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ НА ОСНОВЕ ВНЕДРЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Важным фактором повышения надежности современной РЭА является широкое применение в ней микроэлектронных изделий, позволяющих значительно расширить ее функциональные возможности, уменьшить массу, габариты, потребляемую мощность и стоимость.

Для микроэлектроники характерен рост степени интеграции интегральных микросхем (ИС), которая сейчас составляет 5 • 104 элементов на кристалл.

В настоящее время определились два направления конструирования микроэлектронной аппаратуры:

·  на основе корпусированных ИС, двух- и многослойных печатных коммутационных плат;

·  на основе бескорпусных ИС и плат с пленочными соединениями и пассивными элементами.

В зависимости от технологии изготовления интегральные микросхемы делят на полупроводниковые, пленочные и гибридные.

По функциональному назначению ИС подразделяют на цифровые, аналоговые и СВЧ.

Полупроводниковые ИС обычно представляют кристалл кремния, на поверхности которого сформированы все элементы и межэлементные соединения. Пленочные ИС представляют совокупность расположенных на диэлектрической подложке пленочных пассивных элементов (резисторы, конденсаторы и др.) и соединений с навесными некорпусированными полупроводниковыми ИС и другими навесными элементами. При изготовлении гибридных ИС находит применение как тонкопленочная, так и толстопленочная технология. Благодаря простоте изготовления и невысокой стоимости толстопленочные гибридные ИС широко используются в бытовой РЭА.

Полупроводниковые ИС являются более надежными и дешевыми из всех интегральных структур.

Основными преимуществами гибридных ИС по сравнению с полу, проводниковыми являются:

·  возможность получения пленочных пассивных элементов широкой номенклатуры с жесткими допусками;                                

·  сравнительно высокий процент выхода годных ИС благодаря возможности отбраковки компонентов перед сборкой;

·  возможность замены навесных компонентов в процессе эксплуатации, что повышает ремонтопригодность РЭА.

Опыт эксплуатации и систематизация данных по отказам полупроводниковых ИС показал, что их надежность определяется четырьмя компонентами ненадежности [11]:

·  внешними соединениями, включая выводы корпусов ИС и соединения их с контактами печатной или пленочной платы;

·  внутренними контактными соединениями, обеспечивающими соединения легированных областей полупроводника с металлизацией;

·  корпусами ИС;

·  площадью кристаллов.

Тогда при экспоненциальном законе надежности интенсивность отказов

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Методические указания и пособия
Размер файла:
1 Mb
Скачали:
0