Вопросы к экзамену по курсу «Полупроводниковые ключи и силовые модули в преобразовательных устройствах» (полупроводниковые приборы, RC-нагрузка, RL-нагрузка, переходные процессы включения/выключения, биполярный транзистор)

Вопросы к экзамену по курсу «Полупроводниковые ключи и силовые модули в преобразовательных устройствах» для ВПЭ-1-05.

1.  Основные максимальные параметры силовых полупроводниковых приборов. Область безопасных режимов полупроводниковых приборов в непрерывном режиме.

2.  Область безопасных режимов полупроводниковых приборов в  импульсном режиме.

3.  Составляющие теплового сопротивления и способы их уменьшения.

4.  Особенности работы полупроводниковых приборов на RC-нагрузку.

5.  Особенности работы полупроводниковых приборов на RL-нагрузку

6.  Защита полупроводниковых приборов при их работе на RC-нагрузку.

7.  Защита полупроводниковых приборов при их работе на RL-нагрузку.

8.  Диодный ключ, работающий с R-нагрузку.

9.  Переходные процессы включения в диодном ключе, работающем на R-нагрузку

10.  Переходные процессы выключения в диодном ключе, работающем на R-нагрузку

11.  Особенности включения диодного ключа на RL-нагрузку.

12.  Особенности выключения диодного ключа на RL-нагрузку.

13.  Современные быстродействующие импульсные диоды на основе р-п перехода

14.  Мощные диоды Шоттке.

15.  Мощный биполярный транзистор: особенности управления в ключевом режиме.

16.  Работа простейшего ключа на биполярном транзисторе. Эффект Миллера.

17.  Работа ключа на биполярном транзисторе в схеме с дросселем. Режим прерывистых токов.

18.  Работа ключа на биполярном транзисторе  в схеме с дросселем. Режим непрерывных токов.

19.  Мощный МДП-транзистор: максимальные электрические параметры. Статические параметры и характеристики.

20.  МДП-транзистора. Паразитные емкости. Упрощенный расчет времен переключения ключа на МДП-транзисторе.

21.  Эффект du/dt в МДП-транзисторе.

22.  IGBT: структура и принцип действия. Схемы замещения.

23.  Паразитные емкости. Статические  характеристики IGBT.

24.  Работа ключа на IGBT.

25.  Управление тиристора.

26.  Эффект di/dt в тиристоре.

27.  Эффект du/dt в тиристоре.

28.   Запираемые тиристоры GTO

29.  Запираемые тиристоры GCT и IGCT.

Составил:

Лектор дисциплины                                                         Калимуллин Р.И.

Согласовано:

Зав. кафедрой ПЭ                                                   Голенищев-Кутузов А.В.